[發明專利]雙端口SRAM單元及具有其的存儲器件

有效

• 申請號: 201610905436.4
• 申請日: 2016-10-18
• 公開（公告）號: CN106601288B
• 公開（公告）日: 2019-12-20
• 發明（設計）人: 廖忠志
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G11C11/417
• 分類號: G11C11/417
• 代理公司: 11409 北京德恒律治知識產權代理有限公司
• 代理人: 章社杲;李偉

本發明公開了一種SRAM單元，包括相互交叉耦合的第一反相器和第二反相器，以構建互補的第一數據存儲節點和第二數據存儲節點。第一訪問晶體管包括耦合到第一數據存儲節點的第一源極/漏極區、耦合到第一位線的第一漏極/源極區和耦合到第一字線的第一柵極區。第二訪問晶體管包括耦合到第二互補數據存儲節點的第二源極/漏極區、耦合到第二位線的第二漏極/源極區以及耦合到第一字線的第二柵極區。第一偽晶體管具有耦合到第一訪問晶體管的第一源極/漏極區的第一偽源極/漏極區。第二偽晶體管具有耦合到第二訪問晶體管的第二源極/漏極區的第二偽源極/漏極區。本發明提供了雙端口SRAM單元及具有其的存儲器件。

技術領域

本發明的實施例一般地涉及半導體技術領域，更具體地，涉及存儲器件。

背景技術

半導體存儲器是在基于半導體的集成電路上實現的電子數據存儲器件。半導體存儲器以許多不同的類型和技術制造。半導體存儲器具有比其他類型的數據存儲技術更快的訪問時間。例如，一個字節的數據通常可以在幾納秒之內被寫入半導體存儲器或者從半導體存儲器讀取，而用于諸如硬盤的轉動式存儲器的訪問時間在毫秒的范圍內。因為這些原因，其中，半導體存儲器被用作計算機存儲器的主存儲機制以保持計算機當前正在運行的數據，從而與其他計算機一起使用。

發明內容

根據本發明的一方面，提供了一種靜態隨機存取存儲器(SRAM)器件，包括多個靜態隨機存取存儲器單元，所述靜態隨機存取存儲器單元包括：第一反相器和第二反相器，所述第一反相器和所述第二反相器相互交叉耦合，以構建用于所述靜態隨機存取存儲器單元的互補的第一數據存儲節點和第二數據存儲節點；第一訪問晶體管包括：耦合到所述第一數據存儲節點的第一源極/漏極區、耦合到第一位線的第一漏極/源極區和耦合到第一字線的第一柵極區；第二訪問晶體管包括：耦合到所述第二數據存儲節點的第二源極/漏極區、耦合到第二位線的第二漏極/源極區以及耦合到所述第一字線的第二柵極區；第一偽晶體管，具有耦合到所述第一訪問晶體管的所述第一源極/漏極區的第一偽源極/漏極區；以及第二偽晶體管，具有耦合到所述第二訪問晶體管的所述第二源極/漏極區的第二偽源極/漏極區。

根據本發明的另一方面，提供了一種存儲器件，所述存儲器件包括交叉耦合的第一反相器和第二反相器，以構建數據存儲元件，所述存儲器件包括：多個半導體鰭，在半導體襯底上沿著第一方向互相平行延伸，所述多個半導體鰭中的第一鰭對應于所述第一反相器的第一上拉晶體管以及所述多個半導體鰭中的第二鰭對應于所述第一反相器的第一下拉晶體管；第一柵電極，在與所述第一方向垂直的第二方向上延伸以在所述第一上拉晶體管的溝道區處跨越所述第一鰭，并且在第二方向上以直線的方式連續以在所述第一下拉晶體管的溝道區處跨越所述第二鰭；以及第二柵電極，在所述第二方向上與所述第一柵電極平行延伸，但是在第一方向上與所述第一柵電極間隔開以構建用于所述第一鰭的第一偽晶體管結構，其中，所述第一鰭在所述第一方向上的延伸終止，使得所述第一鰭的端面駐留在所述第二柵電極下方并且在所述第二柵電極的外側壁之內。

根據本發明的又一方面，提供了一種存儲器件，所述存儲器件包括多個存儲單元，所述存儲單元包括：數據存儲元件，具有互補的第一數據存儲節點和第二數據存儲節點；第一訪問晶體管，具有耦合到第一字線的柵極，耦合到所述第一數據存儲節點的第一源極/漏極區和耦合到第一位線的第一漏極/源極區；第二訪問晶體管，具有耦合到第二字線的柵極，耦合到所述第二數據存儲節點的第二源極/漏極區和耦合到第二位線的第二漏極/源極區；第一偽晶體管，具有耦合到所述第一數據存儲節點的柵極和第一偽源極/漏極區；以及第二偽晶體管，具有耦合到所述第二數據存儲節點的第二偽源極/漏極區，并且具有浮置的、耦合到VSS或者耦合到所述第二字線的柵極。

附圖說明

當結合附圖閱讀時，通過下面的詳細描述可最好地理解本公開的各個方面。值得注意的是，根據工業中的標準實踐，各部部件沒有按比例繪制。實際上，可任意增加或減少各種部件的尺寸以便清楚討論。

圖1示出了雙端口靜態隨機存取存儲器(DP SRAM)的框圖。