[發明專利]形成互連線的方法及制造使用互連線的磁存儲器件的方法

有效

• 申請號: 201610900409.8
• 申請日: 2016-10-14
• 公開（公告）號: CN106972098B
• 公開（公告）日: 2022-01-18
• 發明（設計）人: 徐載訓;金鐘圭;吳廷翼;金仁皓;樸鐘撤;白光鉉;梁賢宇
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L43/12
• 分類號: H01L43/12
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 屈玉華

1.一種形成互連線的方法，包括：

在襯底上的絕緣層上形成導電層；

圖案化所述導電層以形成導電圖案；以及

在所述導電圖案上執行清潔工藝，

其中形成所述導電圖案包括使用含氯氣體作為源氣體在所述導電層上執行蝕刻工藝；

其中所述清潔工藝被執行以去除留在所述導電圖案上的氯源，所述清潔工藝使用具有第一氣體和第二氣體的氣體混合物執行，其中所述第一氣體包括氫元素(H)，以及所述第二氣體包括與所述氫元素反應的源氣體；以及

其中在至少一些來自所述第一氣體的所述氫元素與留在所述導電圖案上的氯源反應以形成氫氯酸(HCl)同時，其余來自所述第一氣體的所述氫元素與所述第二氣體的源氣體反應。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述第一氣體中的所述氫元素(H)的濃度高于所述第二氣體中的氫元素(H)的濃度。

3.如權利要求1所述的方法，其中所述第一氣體是水汽。

4.如權利要求1所述的方法，其中所述第一氣體是不同于所述第二氣體的氣體。

5.如權利要求1所述的方法，其中所述第二氣體是氧氣(O₂)或氮氣(N₂)中的至少一種的源氣體。

6.如權利要求1所述的方法，其中所述清潔工藝是等離子體處理工藝，其中所述第一氣體和所述第二氣體的所述氣體混合物被用作等離子體源。

7.如權利要求1所述的方法，其中所述導電層由含鋁材料形成。

8.如權利要求1所述的方法，其中其余來自所述第一氣體的所述氫與所述第二氣體的源氣體的至少一種反應。

9.一種形成互連線的方法，包括：

在襯底上的絕緣層上形成導電層；

圖案化所述導電層以形成導電圖案；以及

在所述導電圖案上執行等離子體處理工藝，

其中形成所述導電圖案包括使用含氯氣體作為源氣體在所述導電層上執行蝕刻工藝；

其中所述等離子體處理工藝被執行以去除留在所述導電圖案上的氯源，所述等離子體處理工藝使用具有第一氣體和第二氣體的氣體混合物作為等離子體源而執行，其中所述第一氣體包括氫元素(H)，以及所述第二氣體包括不同于所述第一氣體的源氣體；以及

其中在至少一些來自所述第一氣體的所述氫元素與留在所述導電圖案上的氯源反應以形成氫氯酸(HCl)同時，其余來自所述第一氣體的所述氫元素與所述第二氣體的源氣體反應。

10.如權利要求9所述的方法，其中所述第一氣體是水汽。

11.如權利要求9所述的方法，其中所述第二氣體是氧氣(O₂)或氮氣(N₂)中的至少一種的源氣體。

12.一種制造磁存儲器件的方法，包括：

在襯底上形成磁性隧道結圖案；

在所述襯底上形成層間絕緣層以覆蓋所述磁性隧道結圖案；

在所述層間絕緣層上形成導電層；

圖案化所述導電層以形成電連接到所述磁性隧道結圖案的互連圖案；以及

在所述互連圖案上執行清潔工藝，

其中形成所述互連圖案包括使用含氯氣體作為源氣體在所述導電層上執行蝕刻工藝；

其中所述清潔工藝被執行以去除留在所述互連圖案上的氯源，所述清潔工藝使用第一氣體和第二氣體的氣體混合物執行，

所述第一氣體包含氫元素(H)，以及

所述第二氣體包含不同于所述第一氣體的材料；以及

其中在至少一些來自所述第一氣體的所述氫元素與留在所述互連圖案上的氯源反應以形成氫氯酸(HCl)同時，其余來自所述第一氣體的所述氫元素與所述第二氣體反應。