[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201610900212.4
• 申請日: 2016-10-14
• 公開（公告）號: CN107017251B
• 公開（公告）日: 2022-01-11
• 發明（設計）人: 金成洙;樸起寬;姜尚求;柳庚玟;李在訓;河泰元
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L29/78
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

1.一種半導體器件，包括：

襯底上的柵間隔物，所述柵間隔物限定溝槽；

填充所述溝槽的柵電極；以及

所述襯底上的層間絕緣層，所述層間絕緣層圍繞所述柵間隔物，所述層間絕緣層包括鍺，

其中所述層間絕緣層中所述鍺的濃度隨逐漸增大的距所述襯底的距離而增大。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其中隨逐漸增大的距所述襯底的距離，所述溝槽的寬度恒定。

3. 如權利要求1所述的半導體器件，其中所述溝槽的寬度隨逐漸增大的距所述襯底的距離而減小。

4. 如權利要求3所述的半導體器件，其中

所述柵電極包括彼此對立的第一側壁和第二側壁，以及

所述柵電極的所述第一側壁和所述柵電極的所述第二側壁具有對于所述柵電極的底表面為銳角的斜度。

5.如權利要求1所述的半導體器件，其中

所述柵電極包括彼此對立的第一側壁和第二側壁，

所述柵電極的所述第一側壁具有對于所述柵電極的底表面為直角的斜度，以及

所述柵電極的所述第二側壁具有對于所述柵電極的所述底表面為銳角的斜度。

6. 如權利要求1所述的半導體器件，其中所述層間絕緣層包括包含所述鍺的第一部分和不包含所述鍺的第二部分。

7.如權利要求6所述的半導體器件，其中

所述層間絕緣層包括下部和上部，

所述層間絕緣層的所述上部包括所述層間絕緣層的所述第一部分，以及

所述層間絕緣層的所述下部包括所述層間絕緣層的所述第二部分，所述第二部分不包括所述鍺。

8.如權利要求6所述的半導體器件，其中所述層間絕緣層的所述第一部分中所述鍺的濃度隨逐漸增大的距所述襯底的距離而增大。

9.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述層間絕緣層的上表面和所述柵電極的上表面位于相同的平面。

10.如權利要求1所述的半導體器件，進一步包括：

從所述襯底突出的鰭型圖案，

其中所述柵電極在所述鰭型圖案上且交叉所述鰭型圖案。

11.一種半導體器件，包括：

襯底上的第一柵電極；

所述襯底上的第二柵電極，所述第二柵電極鄰近于所述第一柵電極且與所述第一柵電極間隔開；

在所述第一柵電極的各側的一對第一柵間隔物；

在所述第二柵電極的各側的一對第二柵間隔物；以及

所述襯底上的第一層間絕緣層，所述第一層間絕緣層在所述一對第一柵間隔物中的一個和所述一對第二柵間隔物中的與所述一對第一柵間隔物中的所述一個對立的一個之間，

其中所述第一層間絕緣層包括下部和上部，

所述第一層間絕緣層的所述上部包括被氧化的元素半導體材料，以及

所述第一層間絕緣層的所述下部不包括所述被氧化的元素半導體材料。

12.如權利要求11所述的半導體器件，其中所述被氧化的元素半導體材料包括鍺（Ge）和硅（Si）中的至少一種。

13.如權利要求11所述的半導體器件，進一步包括：

所述襯底上的第三柵電極；

所述襯底上的第四柵電極，所述第四柵電極鄰近于所述第三柵電極且與所述第三柵電極間隔開；

在所述第三柵電極的各側的一對第三柵間隔物；

在所述第四柵電極的各側的一對第四柵間隔物；

所述襯底上的第二層間絕緣層，所述第二層間絕緣層在所述一對第三柵間隔物中的一個和所述一對第四柵間隔物中的與所述一對第三柵間隔物中的所述一個對立的一個之間。