[發明專利]測量厚度的方法、處理圖像的方法及執行其的電子系統有效
| 申請號: | 201610899136.X | 申請日: | 2016-10-14 |
| 公開(公告)號: | CN106601642B | 公開(公告)日: | 2021-07-09 |
| 發明(設計)人: | 樸民哲;李濟鉉;高汀勛;金锳九;李根浩 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;G01B15/02;G06T7/00;G06T5/00;G06T5/50 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 劉燦強;王占杰 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 測量 厚度 方法 處理 圖像 執行 電子 系統 | ||
1.一種測量厚度的方法,所述方法包括以下步驟:
獲得結構的原始圖像,所述結構包括第一層,第一層包括第一邊界和第二邊界,原始圖像包括具有第一層的結構的圖像,第二邊界在原始圖像中是難以辨識的;
在原始圖像中提取第一層的第一邊界;
基于提取的第一邊界將原始圖像轉換為第一圖像;
基于對第一圖像的濾波來生成第二圖像;
在第二圖像中提取第一層的第二邊界;以及
基于在第二圖像中提取的第二邊界計算第一層的厚度。
2.根據權利要求1所述的方法,其中,在原始圖像中提取第一層的第一邊界的步驟包括:
基于在原始圖像中的灰度值變化來在原始圖像中檢測多個邊界點;
將第一邊界確定為貫穿所述多個邊界點延伸的線。
3.根據權利要求2所述的方法,其中,基于在原始圖像中的灰度值變化來在原始圖像中檢測所述邊界點中的每個的步驟包括確定給定的邊界點的灰度值與相鄰于給定的邊界點的第一點的灰度值之差大于閾值灰度值。
4.根據權利要求1所述的方法,其中,將原始圖像轉換為第一圖像的步驟包括:
基于在原始圖像中提取的第一邊界來在原始圖像中識別目標區域,所述目標區域與所述結構和第一層相關;
將在原始圖像中的多個邊界點映射為在第一圖像中的多個軸點,所述多個邊界點與在原始圖像中的第一邊界相對應;以及
基于所述多個軸點通過改變在目標區域中的多個局部圖像的布置來獲得第一圖像,使得所述多個軸點限定與第一圖像的軸平行地延伸的線。
5.根據權利要求4所述的方法,其中,
所述多個邊界點非線性地布置在原始圖像中,
所述多個軸點線性地布置在第一圖像中,包括所述多個軸點的第一線性線與第一方向平行,
所述多個局部圖像在第一圖像中沿與第一方向交叉的第二方向布置。
6.根據權利要求5所述的方法,其中,所述多個邊界點在原始圖像中布置為圓形形狀或橢圓形形狀。
7.根據權利要求4所述的方法,其中,生成第二圖像的步驟包括:
將第一圖像分為多個子區域;以及
對所述多個子區域中的每個執行平均操作,以生成多個平均化的子區域,使得第二圖像包括所述多個平均化的子區域。
8.根據權利要求7所述的方法,其中,
所述多個軸點線性地布置在第一圖像中,包括所述多個軸點的第一線性線與第一方向平行,
所述多個子區域中的每個具有沿第一方向延伸的第一邊和沿與第一方向垂直的第二方向延伸的第二邊,
第二邊比第一邊短。
9.根據權利要求7所述的方法,其中,基于高斯濾波器來執行平均操作。
10.根據權利要求7所述的方法,所述方法還包括:
從第一圖像去除噪聲以至少部分地生成第二圖像。
11.根據權利要求10所述的方法,所述方法還包括:
基于域變換濾波器從第一圖像去除噪聲。
12.根據權利要求1所述的方法,其中,
基于直角坐標在原始圖像中表示所述結構,
基于極坐標在第一圖像和第二圖像中表示所述結構。
13.一種電子系統,所述電子系統包括:
圖像成像裝置,被構造為接收結構的原始圖像,所述結構包括第一層;
存儲器;以及
與存儲器彼此協作的處理器,以在原始圖像中提取第一層的第一邊界,基于提取的第一邊界將原始圖像轉換為所述結構的第一圖像,基于對所述結構的第一圖像的濾波而生成所述結構的第二圖像,并且在所述結構的第二圖像中提取第一層的第二邊界。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





