[發明專利]一種半導體晶圓的拋光方法在審
| 申請號： | 201610898646.5 | 申請日： | 2016-10-14 |
| 公開（公告）號： | CN107958835A | 公開（公告）日： | 2018-04-24 |
| 發明（設計）人： | 趙厚瑩;李章熙 | 申請（專利權）人： | 上海新昇半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙)31219 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 201306 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體 拋光 方法 | ||
1.一種半導體晶圓的拋光方法，其特征在于，依次包括如下步驟：
S1同時對半導體晶圓的正反兩面進行初步拋光；
S2對所述半導體晶圓進行第一濕法清洗，并在所述半導體晶圓的正反兩面形成氧化層；
S3對所述半導體晶圓的邊緣部分進行鏡面拋光；
S4對所述半導體晶圓進行第二濕法清洗，同時去除覆蓋在所述半導體晶圓上的氧化層；
S5對所述半導體晶圓的正面或正反兩面進行鏡面拋光。
2.根據權利要求1所述的半導體晶圓的拋光方法，其特征在于：步驟S1采用化學機械反應的方法進行初步拋光。
3.根據權利要求1所述的半導體晶圓的拋光方法，其特征在于：步驟S2中，所述第一濕法清洗采用氨水和雙氧水的混合液進行。
4.根據權利要求1所述的半導體晶圓的拋光方法，其特征在于：步驟S2中，在所述第一濕法清洗之前和之后，采用去離子水對所述半導體晶圓進行清洗。
5.根據權利要求1所述的半導體晶圓的拋光方法，其特征在于：步驟S2后，對所述半導體晶圓進行干燥。
6.根據權利要求1所述的半導體晶圓的拋光方法，其特征在于：步驟S2中，在所述第一濕法清洗之前，采用氫氟酸清洗所述半導體晶圓。
7.根據權利要求1所述的半導體晶圓的拋光方法，其特征在于：步驟S2中，在所述第一濕法清洗之后，采用臭氧水清洗所述半導體晶圓。
8.根據權利要求1所述的半導體晶圓的拋光方法，其特征在于：步驟S2中形成的氧化層的厚度為0.3～3nm。
9.根據權利要求1所述的半導體晶圓的拋光方法，其特征在于：步驟S3中，采用化學機械反應的方法進行鏡面拋光。
10.根據權利要求1所述的半導體晶圓的拋光方法，其特征在于：步驟S4中，所述第二濕法清洗依次包括步驟：采用氨水和雙氧水的混合液進行清洗、采用鹽酸和雙氧水的混合液進行清洗、以及采用稀釋的氫氟酸進行清洗。
11.根據權利要求10所述的半導體晶圓的拋光方法，其特征在于：步驟S4中，在所述第二濕法清洗的每個步驟之前和之后，采用去離子水對所述半導體晶圓進行清洗。
12.根據權利要求1所述的半導體晶圓的拋光方法，其特征在于：步驟S4后，對所述半導體晶圓進行干燥。
13.根據權利要求1所述的半導體晶圓的拋光方法，其特征在于：步驟S5中，采用化學機械反應的方法分多步進行鏡面拋光。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
