[發明專利]一種自平衡的太赫茲肖特基勢壘二極管有效

申請號：	201610896409.5	申請日：	2016-10-14
公開（公告）號：	CN106653868B	公開（公告）日：	2020-01-10
發明（設計）人：	張勇;任田昊;吳成凱;黎雨坤;靳賽賽	申請（專利權）人：	電子科技大學
主分類號：	H01L29/872	分類號：	H01L29/872
代理公司：	51203 電子科技大學專利中心	代理人：	甘茂
地址：	611731 四川省成***	國省代碼：	四川;51
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種平衡赫茲肖特基勢壘二極管
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【權利要求書】：

1.一種自平衡的太赫茲肖特基勢壘二極管，包括從下往上依次層疊的GaAs的半絕緣襯底層、重摻n++GaAs層、輕摻n-GaAs層和SiO2層，SiO2層上金屬陽極與陰極，金屬陽極與n-GaAs層形成肖特基接觸，金屬陰極與n++GaAs形成歐姆接觸；其特征在于，所述二極管包含兩個肖特基結，且輸入端到兩個肖特基結的相位相差180°；所述自平衡的太赫茲肖特基勢壘二極管采用圓環電橋；通過調整圓環的半徑，使其周長為當前工作頻率對應波長的兩倍，圓環的一圈為360°，從輸入端到肖特基結1的角度為45°，到肖特基結2的角度為45°+180°。

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