[發明專利]銦砷銻和銦鎵砷銻雙波段紅外探測器及制備方法有效
| 申請號： | 201610892160.0 | 申請日： | 2016-10-13 |
| 公開（公告）號： | CN106298993B | 公開（公告）日： | 2018-09-04 |
| 發明（設計）人： | 孫姚耀;韓璽;王國偉;徐應強;牛智川 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | H01L31/0304 | 分類號： | H01L31/0304;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 湯保平 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 銦砷銻 銦鎵砷銻雙 波段 紅外探測器 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
