[發(fā)明專利]集成電路封裝模具組合件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610892127.8 | 申請(qǐng)日: | 2016-10-12 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN106920757A | 公開(kāi)(公告)日: | 2017-07-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 阮協(xié)宣 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 德州儀器公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/50 | 分類號(hào): | H01L21/50;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11287 | 代理人: | 林斯凱 |
| 地址: | 美國(guó)德*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 集成電路 封裝 模具 組合 | ||
1.一種集成電路“IC”封裝模具組合件,其包括:
上部模具壓板,其界定用于接納上部襯底的上部模具腔體,所述上部襯底具有其上安裝有多個(gè)裸片的裸片附接側(cè)及其上未安裝裸片的非附接側(cè),其中所述裸片附接側(cè)面向上;以及
下部模具壓板,其界定用于接納下部襯底的下部模具腔體,所述下部襯底具有其上安裝有多個(gè)裸片的裸片附接側(cè)及其上未安裝裸片的非附接側(cè),其中所述下部襯底的所述裸片附接側(cè)面向下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合件,其中所述上部模具壓板及所述下部模具壓板包括至少一對(duì)經(jīng)對(duì)準(zhǔn)突出部,其延伸到所述模具腔體中用于將所述上部襯底及所述下部襯底接合在所述突出部之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合件,其進(jìn)一步包括與所述上部模具腔體及所述下部模具腔體流體連通的單個(gè)澆道。
4.一種集成電路“IC”封裝模具組合件,其包括:
上部模具壓板,其界定上部模具腔體;
下部模具壓板,其界定下部模具腔體;
上部襯底,其位于所述上部模具腔體中且具有多個(gè)整體連接的上部襯底部分,每一所述上部襯底部分具有裸片附接側(cè)及非附接側(cè),IC裸片安裝在所述多個(gè)上部襯底部分的所述裸片附接側(cè)上;以及
下部襯底,其位于所述下部模具腔體中且具有多個(gè)整體連接的下部襯底部分,每一下部襯底部分具有裸片附接側(cè)及非附接側(cè),IC裸片安裝在所述多個(gè)下部襯底部分的所述裸片附接側(cè)上;
其中所述上部襯底及所述下部襯底被定位成所述襯底的所述襯底部分的所述非附接側(cè)以相對(duì)關(guān)系定位。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的組合件,其中所述上部襯底及所述下部襯底包括上部引線框襯底及下部引線框襯底且進(jìn)一步包括位于所述上部引線框襯底與所述下部引線框襯底之間的內(nèi)襯。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的組合件,其中所述上部襯底及所述下部襯底包括nFBGA(新細(xì)間距球柵陣列)襯底。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的組合件,其中所述上部襯底及所述下部襯底包括撓曲帶襯底。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的組合件,其中所述上部襯底及所述下部襯底具有延伸穿過(guò)其中的經(jīng)對(duì)準(zhǔn)孔。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的組合件,其進(jìn)一步包括內(nèi)襯,所述內(nèi)襯位于所述上部襯底與所述下部襯底之間且在其中具有與所述上部襯底及所述下部襯底中的所述孔對(duì)準(zhǔn)的孔。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的組合件,其中所述上部襯底及所述下部襯底中的每一者包括具有引線框隅角連接結(jié)構(gòu)的引線框片狀襯底,所述引線框隅角連接結(jié)構(gòu)將引線框部分連接在每一對(duì)應(yīng)的引線框片狀襯底上;
其中所述引線框隅角連接結(jié)構(gòu)中具有開(kāi)口,所述開(kāi)口與所述孔中延伸穿過(guò)所述內(nèi)襯的對(duì)應(yīng)孔對(duì)準(zhǔn)。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的組合件,其中所述上部模具腔體及所述下部模具腔體填充有模具化合物,其填充延伸穿過(guò)所述襯底的所述經(jīng)對(duì)準(zhǔn)孔。
12.一種制造集成電路“IC”封裝的方法,其包括:
將具有與個(gè)別IC封裝相關(guān)聯(lián)的多個(gè)個(gè)別部分的第一及第二IC封裝襯底以非附接側(cè)相對(duì)、鏡像關(guān)系放置;
將所述第一及第二襯底放置在具有上部及下部腔體的模具中,其中所述第一襯底位于上部模具壓板腔體中且所述第二襯底位于與所述上部模具壓板腔體流體連通的下部模具壓板腔體中;以及
用熔融模具化合物填充所述上部模具腔體及所述下部模具腔體。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法,其進(jìn)一步包括將所述第一及第二IC封裝襯底的經(jīng)對(duì)準(zhǔn)部分與相對(duì)模具壓板突出部接合。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法,其進(jìn)一步包括產(chǎn)生延伸穿過(guò)所述第一及第二襯底的經(jīng)對(duì)準(zhǔn)部分的多個(gè)孔。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法,其進(jìn)一步包括使模具化合物流入所述模具以模制所述兩個(gè)襯底包括使模具化合物流過(guò)所述多個(gè)孔以形成連接結(jié)構(gòu)來(lái)將所述兩個(gè)經(jīng)模制襯底固持在一起。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法,其進(jìn)一步包括:
固化所述模具化合物;以及
移除將所述經(jīng)模制襯底固持在一起的連接結(jié)構(gòu)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法,其進(jìn)一步包括將所述經(jīng)模制襯底分開(kāi)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于德州儀器公司,未經(jīng)德州儀器公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610892127.8/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





