[發(fā)明專利]圖像傳感器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610891753.5 | 申請日: | 2016-10-12 |
| 公開(公告)號: | CN106783898B | 公開(公告)日: | 2021-12-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李景鎬;金昇炫;安赫;李允基;崔赫洵 | 申請(專利權(quán))人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 張波 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 圖像傳感器 | ||
1.一種圖像傳感器,包括:
第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體襯底;
布置在所述半導(dǎo)體襯底中且在其中限定第一像素區(qū)和第二像素區(qū)的器件分隔層;
布置在所述半導(dǎo)體襯底中在各個所述第一像素區(qū)和第二像素區(qū)中的相應(yīng)對第二導(dǎo)電類型的第一光電轉(zhuǎn)換區(qū)和第二光電轉(zhuǎn)換區(qū);
在各個所述第一像素區(qū)中布置在所述半導(dǎo)體襯底中在所述第一光電轉(zhuǎn)換區(qū)和第二光電轉(zhuǎn)換區(qū)之間的相應(yīng)第一隔離結(jié)構(gòu);以及
在各個所述第二像素區(qū)中布置在所述半導(dǎo)體襯底中在所述第一光電轉(zhuǎn)換區(qū)和第二光電轉(zhuǎn)換區(qū)之間的相應(yīng)第二隔離結(jié)構(gòu),所述第二隔離結(jié)構(gòu)在其折射率和/或形狀方面不同于所述第一隔離結(jié)構(gòu),
其中所述第一像素區(qū)和第二像素區(qū)沿正交的第一方向和第二方向布置成矩陣,以及其中所述第二像素區(qū)布置在所述第一像素區(qū)中所述第一方向上的相鄰第一像素區(qū)之間以及在所述第一像素區(qū)中所述第二方向上的相鄰第一像素區(qū)之間。
2.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器,其中所述第一隔離結(jié)構(gòu)包括具有沿所述第二方向延伸的線形結(jié)構(gòu)的絕緣層,以及其中所述第二隔離結(jié)構(gòu)包括沿所述第二方向延伸的線形結(jié)構(gòu)且包括包含所述第一導(dǎo)電類型的摻雜劑的雜質(zhì)區(qū)。
3.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器,其中所述第一隔離結(jié)構(gòu)包括具有沿所述第二方向延伸的線形結(jié)構(gòu)的絕緣層,以及其中所述第二隔離結(jié)構(gòu)包括包含沿所述第一方向延伸的第一部分和沿所述第二方向延伸的第二部分的絕緣層。
4.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器,其中所述器件分隔層包括沿所述第一方向延伸且沿所述第二方向彼此間隔開的第一部分、以及沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向彼此間隔開的第二部分,以及其中所述第一隔離結(jié)構(gòu)和第二隔離結(jié)構(gòu)沿所述第二方向延伸以接觸所述器件分隔層的所述第一部分。
5.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器,其中,在所述第一像素區(qū)中,所述第一光電轉(zhuǎn)換區(qū)和第二光電轉(zhuǎn)換區(qū)單獨地被所述器件分隔層和所述第一隔離結(jié)構(gòu)圍繞,以及其中在所述第二像素區(qū)中,所述第一光電轉(zhuǎn)換區(qū)和第二光電轉(zhuǎn)換區(qū)獨立地被所述器件分隔層和所述第二隔離結(jié)構(gòu)圍繞。
6.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器,其中所述半導(dǎo)體襯底具有在其對立的第一側(cè)和第二側(cè)上的第一表面和第二表面,其中所述器件分隔層具有與所述半導(dǎo)體襯底的所述第二表面間隔開第一距離的底表面,其中所述第二隔離結(jié)構(gòu)具有與所述半導(dǎo)體襯底的所述第二表面間隔開第二距離的底表面,以及其中所述第二距離基本上與所述第一距離相同。
7.如權(quán)利要求6所述的圖像傳感器,其中所述第一隔離結(jié)構(gòu)具有與所述半導(dǎo)體襯底的所述第二表面間隔開所述第一距離的底表面。
8.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器,其中所述半導(dǎo)體襯底進一步包括第三像素區(qū),所述第三像素區(qū)由所述器件分隔層限定且布置在所述第二像素區(qū)的對角線方向上在所述第一像素區(qū)中沿所述第一方向的相鄰第一像素區(qū)之間且在所述第一像素區(qū)中沿所述第二方向的相鄰第一像素區(qū)之間,以及其中所述圖像傳感器進一步包括在各個所述第三像素區(qū)中布置在所述半導(dǎo)體襯底中在所述第一光電轉(zhuǎn)換區(qū)和第二光電轉(zhuǎn)換區(qū)之間的第三隔離結(jié)構(gòu)。
9.如權(quán)利要求8所述的圖像傳感器,其中所述第三隔離結(jié)構(gòu)具有與所述第一隔離結(jié)構(gòu)相同的材料成分或形狀。
10.如權(quán)利要求8所述的圖像傳感器,其中所述第三隔離結(jié)構(gòu)具有與所述第二隔離結(jié)構(gòu)相同的材料成分或形狀。
11.如權(quán)利要求8所述的圖像傳感器,其中所述第三隔離結(jié)構(gòu)具有與所述第一隔離結(jié)構(gòu)和第二隔離結(jié)構(gòu)不同的材料成分或形狀。
12.如權(quán)利要求8所述的圖像傳感器,其中所述第一隔離結(jié)構(gòu)和第三隔離結(jié)構(gòu)包括具有沿所述第二方向延伸的線形結(jié)構(gòu)的絕緣層,以及其中所述第二隔離結(jié)構(gòu)具有沿所述第二方向延伸的線形結(jié)構(gòu)并且包括包含所述第一導(dǎo)電類型的摻雜劑的雜質(zhì)區(qū)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





