[發明專利]掩埋金屬型寬帶反射光柵及其制作方法有效
| 申請號： | 201610891021.6 | 申請日： | 2016-10-13 |
| 公開（公告）號： | CN107942425B | 公開（公告）日： | 2021-05-04 |
| 發明（設計）人： | 徐建衛 | 申請（專利權）人： | 上海矽越光電科技有限公司 |
| 主分類號： | G02B5/18 | 分類號： | G02B5/18 |
| 代理公司： | 上海宏京知識產權代理事務所(普通合伙) 31297 | 代理人： | 鄧文武 |
| 地址： | 201612 上海市松江區漕河涇開*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 掩埋 金屬 寬帶 反射光柵 及其 制作方法 | ||
1.一種掩埋金屬型寬帶反射光柵，其特征在于，包括襯底(1)，所述襯底(1)上設置有鋁膜(2)，所述鋁膜(2)上刻蝕有矩形光柵脊(3)，所述矩形光柵脊(3)間及光柵頂部設置有二氧化硅薄膜(4)，所述鋁膜厚度為1～2微米，刻蝕深度為400～700納米，光柵頂部二氧化硅厚度為100～300納米，光柵周期為500～600納米，光柵的占空比為0.4～0.6。
2.如權利要求1所述的掩埋金屬型寬帶反射光柵，其特征在于，所述襯底(1)為玻璃或硅。
3.如權利要求1或2所述的掩埋金屬型寬帶反射光柵，其特征在于，所述鋁膜厚度為1.6微米，刻蝕深度為400納米，光柵頂部二氧化硅厚度為160納米，光柵周期為556納米，光柵的占空比為0.4。
4.一種掩埋金屬型寬帶反射光柵的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：
S1，在襯底(1)上生長鋁膜(2)；
S2，在S1的鋁膜(2)上刻蝕矩形光柵脊(3)；
S3，在S2的矩形光柵脊(3)間及光柵頂部填充二氧化硅薄膜(4)；
S4，對S3中的二氧化硅薄膜(4)表面進行拋光；
其中，所述S2處理后的鋁膜(2)厚度為1～2微米，刻蝕深度為400～700納米，所述S4處理后的光柵頂部二氧化硅厚度為100～300納米，所述光柵周期為500～600納米，光柵的占空比為0.4～0.6。
5.如權利要求4所述的掩埋金屬型寬帶反射光柵的制作方法，其特征在于，所述鋁膜厚度為1.6微米，刻蝕深度為400納米，光柵頂部二氧化硅厚度為160納米，光柵周期為556納米，光柵的占空比為0.4。
6.如權利要求5所述的掩埋金屬型寬帶反射光柵的制作方法，其特征在于，所述S1中生長鋁膜的方法為磁控濺射法，所述S2中的刻蝕方法為等離子刻蝕法，所述S3中的填充方法為化學氣相淀積法，所述S4中的拋光方法為化學機械拋光法。
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