[發(fā)明專利]晶格結(jié)構(gòu)的閥本體或調(diào)節(jié)器本體

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610890143.3
• 申請日: 2016-10-12
• 公開（公告）號(hào): CN106985386B
• 公開（公告）日: 2020-09-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: J·L·格里芬;W·E·維爾斯;B·J·彭卡爾
• 申請（專利權(quán)）人: 艾默生過程管理調(diào)節(jié)技術(shù)公司
• 主分類號(hào): B29C64/153
• 分類號(hào): B29C64/153;B29C64/30;B22F3/105;B22F7/08;B33Y10/00;B33Y30/00
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 范可平

1.一種制造流體控制裝置的本體的方法，其使用增材制造，所述方法包括：形成具有外表面和內(nèi)表面的內(nèi)壁、圍繞入口的區(qū)域、圍繞出口的區(qū)域和圍繞流體流動(dòng)通路的區(qū)域，其中所述內(nèi)壁提供流體邊界并連接所述入口和所述出口；形成所述內(nèi)壁的、容納閥座的一部分；形成所述內(nèi)壁的、圍繞孔并容納控制桿和控制元件的一部分；通過以預(yù)定的圖案將可凝固材料沉積到所述內(nèi)壁上來形成三維的晶格結(jié)構(gòu)，其中所述晶格結(jié)構(gòu)包括多個(gè)相連的晶格部件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，沉積所述可凝固材料包括將所述可凝固材料直接沉積到所述內(nèi)壁的所述內(nèi)表面上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，沉積所述可凝固材料包括將所述可凝固材料直接沉積到所述內(nèi)壁的所述外表面上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述內(nèi)壁包括以下步驟：在所述內(nèi)壁的所述外表面和所述內(nèi)表面之間形成中空空間。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，形成所述晶格結(jié)構(gòu)包括將可凝固材料沉積到所述中空空間內(nèi)的所述內(nèi)壁上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括以下步驟：識(shí)別所述內(nèi)壁的局部區(qū)域的優(yōu)選材料性能，以及提供所述晶格結(jié)構(gòu)到所述局部區(qū)域，其中所述晶格結(jié)構(gòu)包括所述局部區(qū)域的所述優(yōu)選材料性能。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，還包括以下步驟：提供所述晶格結(jié)構(gòu)到所述局部區(qū)域，其中所述局部區(qū)域需要低材料強(qiáng)度要求。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括以下步驟：通過在多個(gè)晶格部件中的至少兩個(gè)晶格部件之間提供至少一個(gè)連接件來加固所述晶格結(jié)構(gòu)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述晶格結(jié)構(gòu)的步驟包括以預(yù)定距離間隔連接多個(gè)晶格部件來獲得所述晶格結(jié)構(gòu)的預(yù)定密度。

10.一種制造流體控制裝置的本體的方法，所述方法包括：形成具有內(nèi)表面和外表面的內(nèi)壁；形成所述內(nèi)壁的、被設(shè)置成容納閥座的一部分；形成圍繞入口的第一凸緣、圍繞出口的第二凸緣以及圍繞連接所述入口和所述出口的流體流動(dòng)通路的一部分；形成所述內(nèi)壁的、圍繞孔的一部分，所述孔容納控制元件和閥桿；以及通過以預(yù)定的圖案沉積可凝固材料形成具有多個(gè)相連的晶格部件的三維的晶格結(jié)構(gòu)，其中所述晶格結(jié)構(gòu)被附接到所述內(nèi)壁。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，形成所述晶格結(jié)構(gòu)包括在接收表面上沉積可凝固材料，從所述接收表面移除所述晶格結(jié)構(gòu)以及將所述晶格結(jié)構(gòu)附接到所述內(nèi)壁。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，形成所述內(nèi)壁包括通過根據(jù)預(yù)定設(shè)計(jì)將所述可凝固材料沉積成多層來將所述內(nèi)壁和所述晶格結(jié)構(gòu)形成在一起，以形成三維的整體的本體。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，形成所述晶格結(jié)構(gòu)包括制造所述晶格結(jié)構(gòu)并將所述晶格結(jié)構(gòu)附接到所述內(nèi)壁的所述內(nèi)表面來改變所述流體流動(dòng)通路。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，形成所述晶格結(jié)構(gòu)包括制造所述晶格結(jié)構(gòu)并將所述晶格結(jié)構(gòu)附接到所述內(nèi)壁的所述外表面。

15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，還包括以下步驟：向所述內(nèi)壁提供無孔材料并向所述晶格結(jié)構(gòu)提供多孔材料。

16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，還包括以下步驟：提供布置在所述晶格結(jié)構(gòu)中的膠體、氣體或流體，用于絕緣。