[發(fā)明專利]熱化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)及其操作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610889738.7 | 申請日: | 2016-10-12 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106917073B | 公開(公告)日: | 2019-06-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 羅諺展;賴以方;呂伯雄;劉定一;廖錫文;許凱翔;謝政輝;林賢輝;徐瑞甫;吳成宗 | 申請(專利權(quán))人: | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C16/44 | 分類號(hào): | C23C16/44;C23C16/46 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李偉 |
| 地址: | 中國臺(tái)*** | 國省代碼: | 中國臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 熱化學(xué) 底室 上室 工件支撐件 沉積系統(tǒng) 室間隔 加熱器 加熱器配置 屏蔽板配置 屏蔽板 中支撐 屏蔽 沉積 配置 應(yīng)用 | ||
熱化學(xué)汽相沉積(CVD)系統(tǒng)包括底室、上室、工件支撐件、加熱器和至少一個(gè)屏蔽板。上室存在于在底室上方。室間隔限定在上室和底室之間。工件支撐件配置為在室間隔中支撐工件。加熱器配置為對工件應(yīng)用熱量。屏蔽板配置為至少部分地為底室屏蔽熱量。本發(fā)明實(shí)施例涉及熱化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)及其操作方法。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明實(shí)施例涉及熱化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)及其操作方法。
背景技術(shù)
化學(xué)汽相沉積(CVD)是在半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)中采用的用于產(chǎn)生膜的化學(xué)工藝。通常,將晶圓暴露于一個(gè)或多個(gè)易失性前體,易失性前體在晶圓上反應(yīng)或分解以產(chǎn)生沉積的膜。實(shí)際上,膜的均勻性影響膜沉積的質(zhì)量。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例,提供了一種熱化學(xué)汽相沉積(CVD)系統(tǒng),包括:底室;上室,存在于所述底室上方,其中,所述上室和所述底室限定了位于它們之間的室間隔;工件支撐件,配置為支撐所述室間隔中的工件;加熱器,配置為對所述工件施加熱量;以及至少一個(gè)屏蔽板,配置為至少部分地為所述底室屏蔽熱量。
根據(jù)本發(fā)明的另一些實(shí)施例,還提供了一種熱化學(xué)汽相沉積(CVD)系統(tǒng),包括:處理室,具有底壁;工件支撐件,配置為支撐所述處理室中的工件;加熱器,配置為對所述工件施加熱量;以及至少一個(gè)反射器,位于所述加熱器和所述處理室的底壁之間,所述反射器具有朝向所述工件的反射表面,其中,所述反射表面對熱量具有至少一個(gè)反射率。
根據(jù)本發(fā)明的又一些實(shí)施例,還提供了一種用于處理襯底的方法,所述方法包括:在處理室中對襯底施加熱量,同時(shí)所述熱量的至少部分朝向所述處理室的底壁傳輸;以及為所述處理室的底壁至少部分地屏蔽朝向所述處理室的底壁傳輸?shù)乃霾糠值臒崃俊?/p>
附圖說明
當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時(shí),從以下詳細(xì)描述可最佳地理解本發(fā)明的各個(gè)方面。應(yīng)該注意,根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐,各個(gè)部件未按比例繪制。實(shí)際上,為了清楚的討論,各種部件的尺寸可以被任意增大或減小。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的熱化學(xué)汽相沉積(CVD)系統(tǒng)的示意圖。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的一些其他的實(shí)施例的屏蔽板的平面圖。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的一些其他的實(shí)施例的屏蔽板的分解圖。
圖4至圖6是根據(jù)本發(fā)明的一些其他的實(shí)施例的屏蔽板的平面圖。
具體實(shí)施方式
以下公開內(nèi)容提供了許多用于實(shí)現(xiàn)所提供主題的不同特征的不同實(shí)施例或?qū)嵗O旅婷枋隽私M件和布置的具體實(shí)例以簡化本發(fā)明。當(dāng)然,這些僅僅是實(shí)例,而不旨在限制本發(fā)明。例如,在以下描述中,在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件以直接接觸的方式形成的實(shí)施例,并且也可以包括在第一部件和第二部件之間可以形成額外的部件,從而使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實(shí)施例。此外,本發(fā)明可在各個(gè)實(shí)例中重復(fù)參考標(biāo)號(hào)和/或字符。該重復(fù)是為了簡單和清楚的目的,并且其本身不指示所討論的各個(gè)實(shí)施例和/或配置之間的關(guān)系。
本文中所使用的術(shù)語是僅用于描述特定實(shí)施例的目的,而不是為了限制本發(fā)明。如本文中所使用的,除非上下文清楚地表明,否則單數(shù)“一”,“一個(gè)”和“該”旨在也包括復(fù)數(shù)形式。應(yīng)當(dāng)進(jìn)一步理解,當(dāng)在本發(fā)明中使用術(shù)語“包括”和/或“包含”,或“包括”和/或“包括”或“具有”和/或“有”時(shí),指定闡述的部件、區(qū)域、整數(shù)、步驟、操作、元件、和/或組件的存在,但不排除附加的一個(gè)或多個(gè)其他部件、區(qū)域、整數(shù)、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組的存在。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的
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