[發(fā)明專利]液晶顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610889237.9 | 申請日： | 2011-02-02 |
| 公開（公告）號： | CN107045235A | 公開（公告）日： | 2017-08-15 |
| 發(fā)明（設計）人： | 今藤敏和;小山潤;山崎舜平 | 申請（專利權）人： | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號： | G02F1/1362 | 分類號： | G02F1/1362;G02F1/1333;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 吳晟,姜甜 |
| 地址： | 日本神奈*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 液晶 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置，包括:
第一掃描線和第二掃描線；
所述第一掃描線和所述第二掃描線之上的第一絕緣層；
所述第一絕緣層之上的氧化物半導體層；
所述氧化物半導體層之上的信號線；以及
所述信號線之上的第二絕緣層，
其中所述信號線分別在第一交叉點和第二交叉點與所述第一掃描線和所述第二掃描線立體交叉，
其中所述信號線分別在所述第一交叉點和所述第二交叉點包括第一凸面和第二凸面，
其中所述信號線在所述第一凸面和所述第二凸面之間的區(qū)域中是大致整個平坦的，
其中所述氧化物半導體層位于所述第一交叉點，以及
其中所述信號線與所述第一絕緣層在所述區(qū)域中整個接觸。
2.如權利要求1所述的顯示裝置，其中所述信號線包括:
第一含鈦層；
所述第一含鈦層之上的含鋁層；以及
所述含鋁層之上的第二含鈦層。
3.一種顯示裝置包括:
第一掃描線和第二掃描線；
所述第一掃描線和所述第二掃描線之上的第一絕緣層；
所述第一絕緣層之上的第一信號線和第二信號線；
所述第一掃描線、所述第二掃描線、所述第一信號線、和所述第二信號線包圍的晶體管，其中所述晶體管包括柵極、所述柵極之上的所述第一絕緣層、和所述第一絕緣層之上的氧化物半導體層；
所述第一信號線和所述第二信號線之上的第二絕緣層；以及
所述第二絕緣層之上的像素電極，
其中所述第一信號線分別在第一交叉點和第二交叉點與所述第一掃描線和所述第二掃描線立體交叉，
其中所述第一信號線分別在所述第一交叉點和所述第二交叉點包括第一凸面和第二凸面，
其中所述第一信號線在所述第一凸面和所述第二凸面之間的區(qū)域中是大致整個平坦的，
其中所述氧化物半導體層位于所述第一交叉點，
其中所述第一信號線與所述第一絕緣層在所述區(qū)域中整個接觸，以及
其中所述像素電極通過位于所述第二絕緣層中的接觸孔電連接到所述晶體管。
4.如權利要求3所述的顯示裝置，其中所述第一信號線和所述第二信號線各包括:
第一含鈦層；
所述第一含鈦層之上的含鋁層；以及
所述含鋁層之上的第二含鈦層。
5.如權利要求1或3所述的顯示裝置，其中所述第一絕緣層具有疊層結構，其包括氮化硅膜和所述氮化硅膜之上的氧化硅膜。
6.如權利要求1或3所述的顯示裝置，還包括所述第二絕緣層之上的第三絕緣層。
7.如權利要求6所述的顯示裝置，其中所述第三絕緣層包括有機材料。
8.如權利要求1或3所述的顯示裝置，其中所述第二絕緣層是無機絕緣膜。
9. 如權利要求1或3所述的顯示裝置，其中所述第一掃描線和所述第二掃描線各包括:
含鉭層；以及
所述含鉭層之上的含鎢層。
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