[發明專利]一種納米銀焊膏連接裸銅襯底或敷銅基板的燒結方法有效
| 申請號: | 201610888951.6 | 申請日: | 2016-10-11 |
| 公開(公告)號: | CN106653627B | 公開(公告)日: | 2019-02-05 |
| 發明(設計)人: | 梅云輝;閆海東;李欣;陸國權 | 申請(專利權)人: | 天津大學 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L23/52 |
| 代理公司: | 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201 | 代理人: | 王麗 |
| 地址: | 300072 天*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 納米 銀焊膏 連接 襯底 敷銅基板 燒結 方法 | ||
1.一種納米銀焊膏連接裸銅襯底或敷銅基板的燒結方法;其特征包括預熱階段、干燥階段、燒結致密化階段和甲酸還氧燒結階段;其中在預熱階段和干燥階段采用非接觸熱傳導方式實現加熱板對加熱托盤的加熱,在燒結致密化階段采用接觸熱傳導方式實現加熱板對加熱托盤的加熱;所述預熱階段,在氮氣保護氣氛下預熱貼片后的試樣,預熱溫度65-120℃,預熱時間1-30min;所述干燥階段,將預熱好的試樣放入真空燒結/回流焊爐,溫升速率5-10℃/min,干燥溫度120-200℃,干燥時間5-30min;所述燒結致密化階段,燒結溫度250-320℃,燒結時間5-30min,貧氧氣氛控制,兩次抽真空壓力值至5-500mbar,回填氮氣保護氣至1000mbar;所述甲酸還氧燒結階段,抽真空至5mbar,注入甲酸至50-500mbar,回填氮氣至1000mbar,還氧溫度250-320℃,還氧時間5-30min。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





