[發明專利]一種熔接長周期光纖光柵的雙程MZ結構測量應變的方法有效
| 申請號： | 201610887109.0 | 申請日： | 2016-10-11 |
| 公開（公告）號： | CN106524935B | 公開（公告）日： | 2019-01-18 |
| 發明（設計）人： | 何巍;祝連慶;婁小平;董明利;李紅;姚齊峰;辛璟燾 | 申請（專利權）人： | 北京信息科技大學 |
| 主分類號： | G01B11/16 | 分類號： | G01B11/16 |
| 代理公司： | 北京律恒立業知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11416 | 代理人： | 顧珊;龐立巖 |
| 地址： | 100085 北京市海淀區清*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 長周期光纖光柵 雙程 光纖 熔接 關系曲線 光耦合器 結構測量 測量 光譜儀 波長移動 光纖兩端 光纖熔接 結構整體 應變變化 應變材料 應變測量 反射端 透射峰 溫控箱 波長 搭接 溫箱 光源 繪制 監測 | ||
1.一種熔接長周期光纖光柵的雙程MZ結構測量應變的方法，其特征在于，所述應變測量方法包括如下步驟：
a、搭接雙程MZ結構，所述雙程MZ結構包括光源、第一光耦合器、第二光耦合器以及第一光纖、第二光纖、第三光纖和第四光纖；其中
所述第一光纖與第二光纖熔接在所述第一光耦合器與第二光耦合器之間，所述第三光纖和第四光纖的一端與第二光耦合器連接；
b、將長周期光纖光柵熔接到所述雙程MZ結構中，其中長周期光纖光柵的光纖兩端分別與第三光纖和第四光纖熔接，所述長周期光纖光柵構成雙程MZ結構的反射端，其中
第三光纖和第四光纖選用纖芯直徑為10/125微米的SMF-28E光纖；
c、將步驟b熔接長周期光纖光柵的雙程MZ結構整體的熔接長周期光纖光柵的一側與應變材料相貼合，逐漸改變應變材料的應變大小，選取長周期光纖光柵的波谷為采樣點，利用光譜儀監測波長移動；
d、利用步驟c監測到的波長移動繪制波長與應變變化的關系曲線，利用所述關系曲線對待測應變材料的應變進行測量。
2.根據權利要求1所述的測量應變的方法，其特征在于，通過長周期光纖光柵直寫系統制備所述長周期光纖光柵。
3.根據權利要求1所述的測量應變的方法，其特征在于，所述改變應變材料的應變大小采用對應變材料進行拉伸、彎曲或壓縮的方式。
4.根據權利 要求1所述的測量應變的方法，其特征在于，所述長周期光纖光柵進行應變曾敏處理。
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