[發(fā)明專利]一種降低深槽型超結(jié)MOSFET制造成本的制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610886331.9 | 申請(qǐng)日： | 2016-10-11 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN106340458A | 公開(kāi)（公告）日： | 2017-01-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 白玉明;薛璐;張海濤 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 無(wú)錫同方微電子有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/336 | 分類號(hào)： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京中恒高博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11249 | 代理人： | 劉洪京 |
| 地址： | 214000 江蘇省無(wú)錫市新區(qū)*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 降低 深槽型超結(jié) mosfet 制造 成本 方法 | ||
【說(shuō)明書】：
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
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