[發明專利]一種單分散結構g?C3N4納米片及其制備方法在審
| 申請號： | 201610885710.6 | 申請日： | 2016-10-10 |
| 公開（公告）號： | CN106629638A | 公開（公告）日： | 2017-05-10 |
| 發明（設計）人： | 徐光青;范程控;苗繼琳;呂珺;吳玉程 | 申請（專利權）人： | 合肥工業大學 |
| 主分類號： | C01B21/082 | 分類號： | C01B21/082;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京輕創知識產權代理有限公司11212 | 代理人： | 沈尚林 |
| 地址： | 230000 *** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 分散 結構 c3n4 納米 及其 制備 方法 | ||
1.一種單分散結構g-C3N4納米片，其特征在于：所述的g-C3N4納米片的尺寸為10-50nm，顆粒分布均勻，無團聚現象。
2.一種單分散結構g-C3N4納米片的制備方法，其特征在于：采用水蒸汽氣氛條件下的二次煅燒法制備。
3.如權利要求2所述的單分散結構g-C3N4納米片的制備方法，其特征在于：具體步驟如下：
(1)一次煅燒：以含氮基團有機物為原料，將原料置于燒舟中，然后將燒舟置于馬弗爐中，在空氣中煅燒獲得g-C3N4粗粉；
(2)二次煅燒：以步驟(1)中的g-C3N4粗粉為原料，將原料置于燒舟中，然后將燒舟置于密封性管式爐中，以惰性氣體為載流氣，將惰性氣體通過蒸餾水后再進入密封性管式爐中煅燒，獲得單分散結構g-C3N4納米片。
4.如權利要求3所述的單分散結構g-C3N4納米片的制備方法，其特征在于：步驟(1)中含氮基團有機物原料為尿素、硫脲、三聚氰胺、雙氰胺、氰胺中的一種或幾種的混合物。
5.如權利要求3所述的單分散結構g-C3N4納米片的制備方法，其特征在于：步驟(1)中煅燒溫度為500-550℃，時間為2-5h。
6.如權利要求3所述的單分散結構g-C3N4納米片的制備方法，其特征在于：步驟(2)中的煅燒溫度為300-700℃，時間為2-6h。
7.如權利要求3所述的單分散結構g-C3N4納米片的制備方法，其特征在于：步驟(2)中惰性氣體為氮氣或氬氣。
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