[發明專利]集成電路、圖像傳感器的集成電路及其制造方法在審
| 申請號： | 201610884136.2 | 申請日： | 2016-10-10 |
| 公開（公告）號： | CN106876420A | 公開（公告）日： | 2017-06-20 |
| 發明（設計）人： | 許文義;洪豐基;楊敦年;周耕宇 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李偉 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 集成電路 圖像傳感器 及其 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種集成電路，包括：
光電二極管陣列，包括在半導體襯底內設置的多個光電二極管；
復合柵格，位于所述光電二極管陣列上面并且具有垂直延伸穿過所述復合柵格的多個第一開口和多個第二開口；
圖像感測像素陣列，包括在所述多個第一開口中設置的多個濾色器；以及
相位檢測像素陣列，包括比所述多個濾色器小并且具有低折射率(低n)材料的多個相位檢測組件，所述低折射率材料的折射率(n)小于所述多個濾色器的折射率，其中，所述多個相位檢測組件中的相位檢測組件設置在所述多個第二開口中。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
