[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610881292.3
• 申請日: 2016-10-09
• 公開（公告）號: CN107919367B
• 公開（公告）日: 2020-05-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王明軍;汪新學(xué)
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上依次形成有絕緣層、金屬膜層、以及位于部分所述金屬膜層上的掩膜層；

以所述掩膜層為掩膜蝕刻所述金屬膜層；

去除未被所述掩膜層遮蔽部分的所述金屬膜層殘留，造成掩膜層下面的金屬膜層的側(cè)壁部分受損；

對所述掩膜層進行修剪處理以減小所述掩膜層的橫向?qū)挾龋?/p>

以所述掩膜層為掩膜蝕刻去除所述金屬膜層未被所述掩膜層遮蔽的部分；

去除所述掩膜層。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜層為光刻膠層。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬膜層在所述半導(dǎo)體襯底上具有高臺階區(qū)域，以所述掩膜層為掩膜蝕刻所述金屬膜層的步驟中，該區(qū)域存在金屬膜層殘留。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，采用各向同性蝕刻去除所述金屬膜層殘留。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對所述掩膜層進行修剪處理以減小所述掩膜層的橫向?qū)挾龋M而露出所述金屬膜層的受損部分。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬膜層的材料包括鋁。