[發(fā)明專利]一種降低低壓TrenchDMOS導(dǎo)通電阻的制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610880212.2 | 申請(qǐng)日： | 2016-10-09 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN106298946A | 公開（公告）日： | 2017-01-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 朱袁正;葉鵬;王根毅;周永珍 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 無錫新潔能股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L29/78 | 分類號(hào)： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙)32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214131 江蘇省無錫市濱湖區(qū)高浪東路999號(hào)*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 降低 低壓 trenchdmos 通電 制造 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
