[發明專利]包括水平槽和/或移動噴頭的晶片輸送微氣候技術和裝置

有效

• 申請號: 201610879720.9
• 申請日: 2016-10-08
• 公開（公告）號: CN107068601B
• 公開（公告）日: 2020-06-16
• 發明（設計）人: 詹姆斯·斯蒂芬·萬·高赫;坎迪·克里斯托弗森;穆赫辛·薩拉克;布蘭登·森;哈梅特·辛格;德里克·約翰·威特科維基;理查德·M·布蘭克;理查德·霍華德·古爾德;埃弗拉因·基萊斯
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01L21/677
• 分類號: H01L21/677;H01L21/687
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 樊英如;張華

1.一種用于處理半導體晶片的裝置，其包括：

多個晶片處理室，其定位在不同的位置；

底盤，其支撐在所述不同的位置上的所述晶片處理室；

一個或多個多晶片盒，每個多晶片盒具有沿豎直軸布置在陣列中的N個晶片支撐結構，其中所述晶片支撐結構的尺寸設置為支撐直徑為D的半導體晶片，N為大于1的整數，并且每個半導體晶片支撐結構與所述陣列中的任何相鄰的晶片支撐結構或多個晶片支撐結構以平均距離d間隔開；

一個或多個機械手臂，每個臂具有配置成在該機械手臂的運動期間支撐半導體晶片的端部執行器，其中所述一個或多個機械手臂被配置成傳送半導體晶片來往于所述一個或多個多晶片盒并到所述多個晶片處理室；以及

至少一個緩沖氣體微氣候系統，其包括至少一個槽-門機構，其是所述一個或多個多晶片盒中的每個的一部分，其中每個槽-門機構包括板形式的門，其具有大于D的寬度和小于（N-1）·d的高度的水平槽。

2.根據權利要求1的所述的用于處理半導體晶片的裝置，其中：

每個多晶片盒具有前開口，所述前開口的尺寸設置為允許晶片被插入到所述多晶片盒或從所述多晶片盒取出；

每個槽-門機構包括驅動機構，其被配置成響應于機械輸入，使所述門相對于所述多晶片盒的所述晶片支撐結構豎直平移，所述門是所述多晶片盒的一部分；

每個門具有大于（2·N-1）·d的高度；以及

每個門被設置在所述多晶片盒的所述前開口的前面，所述門是所述多晶片盒的一部分。

3.根據權利要求1所述的用于處理半導體晶片的裝置，其中所述至少一個緩沖氣體微氣候系統進一步包括被配置成使緩沖氣體流動跨越由所述一個或多個端部執行器支撐的半導體晶片的面對表面的一個或多個緩沖氣體分配器，其中：

所述一個或多個緩沖氣體分配器中的每個與所述一個或多個端部執行器中的不同的一個相關聯，

每個緩沖氣體分配器被配置成在其中所相關聯的所述端部執行器是其一部分的所述機械手臂的至少一些運動期間隨著所相關聯的所述端部執行器一起運動，

每個緩沖氣體分配器和相關聯的端部執行器間隔開，使得當所述N個半導體晶片由所述N個晶片支撐結構支撐時，所述緩沖氣體分配器和所相關聯的所述端部執行器能插入由所述N個晶片支撐結構支撐的所述N個半導體晶片的堆中，以及

每個緩沖氣體分配器和相關聯的端部執行器各自的尺寸設成配合在所述N個半導體晶片的堆內的晶片間的間隙內。

4.根據權利要求2所述的用于處理半導體晶片的裝置，其還包括水平晶片盒傳送器，其被配置為接收所述一個或多個多晶片盒中的至少一個并沿水平軸在水平位置之間平移所述一個或多個多晶片盒中所接收的至少一個，其中：

所述晶片處理室被定位在所述水平晶片盒傳送器的任一側上的間隔開的位置，以及

所述一個或多個機械手臂中的第一機械手臂被配置為當所述一個或多個多晶片盒中的第一多晶片盒被至少設置在所述水平位置的第一水平位置時，在所述第一多晶片盒與所述晶片處理室中的第一晶片處理室、所述晶片處理室中的第二晶片處理室、所述晶片處理室中的第三晶片處理室、以及所述晶片處理室中的第四晶片處理室之間輸送半導體晶片，

所述第一晶片處理室和所述第二晶片處理室位于所述水平晶片盒傳送器的第一側面上，

所述第三晶片處理室和所述第四晶片處理室位于所述水平晶片盒傳送器的第二側面上，以及

所述水平晶片盒傳送器的所述第一側面在所述水平晶片盒傳送器的與所述水平晶片盒傳送器的所述第二側面相對的側面上。