[發明專利]MEMS麥克風及其形成方法

有效

• 申請號: 201610879198.4
• 申請日: 2016-10-08
• 公開（公告）號: CN107920318B
• 公開（公告）日: 2020-05-01
• 發明（設計）人: 王賢超
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H04R19/04
• 分類號: H04R19/04
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種MEMS麥克風的形成方法，其特征在于，包括：

提供一形成有振動膜的襯底，在所述振動膜上形成一犧牲層，于所述犧牲層上形成有至少一個凹槽；

于所述犧牲層上形成導電層，在所述導電層中形成暴露所述凹槽的第一開口以及與所述第一開口錯開的第二開口；

于所述第一開口的側壁上形成側墻，所述側墻的形成方法包括：于所述導電層上形成一側壁層，以充填所述犧牲層上的凹槽并覆蓋所述導電層；以及，采用無圖形蝕刻工藝對所述側壁層進行蝕刻，以在所述第一開口的側壁上形成所述側墻；

在所述導電層上形成絕緣層，所述絕緣層充填位于所述犧牲層上的凹槽以形成阻隔塊，并且，所述絕緣層暴露出所述第二開口；

通過所述第二開口去除部分所述犧牲層，使得所述振動膜與導電層之間形成一空腔。

2.如權利要求1所述的MEMS麥克風的形成方法，其特征在于，所述側壁層采用化學氣相沉積工藝形成。

3.如權利要求1所述的MEMS麥克風的形成方法，其特征在于，所述側墻的材質與所述犧牲層的材質相同。

4.如權利要求1所述的MEMS麥克風的形成方法，其特征在于，所述側墻與所述犧牲層的材質互不相同。

5.如權利要求3或4所述的MEMS麥克風的形成方法，其特征在于，所述側墻的材質為氧化硅、氮化硅中的一種或其組合，所述犧牲層的材質為氧化硅。

6.如權利要求1所述的MEMS麥克風的形成方法，其特征在于，所述導電層上形成有若干個穿孔，所述穿孔貫穿所述導電層。

7.如權利要求1所述的MEMS麥克風的形成方法，其特征在于，所述犧牲層的形成方法包括：

于所述振動膜上形成第一犧牲層，并通過光刻及蝕刻工藝于所述第一犧牲層上形成至少一個第三開口；

于所述第一犧牲層上沉積第二犧牲層，使得在所述第二犧牲層上對應于所述第三開口的位置上形成有所述凹槽，所述第一犧牲層和第二犧牲層共同形成所述犧牲層。

8.如權利要求1所述的MEMS麥克風的形成方法，其特征在于，所述犧牲層的形成方法包括：

于所述振動膜上形成犧牲層；

對所述犧牲層執行光刻及蝕刻工藝，以在所述犧牲成上形成所述凹槽。

9.如權利要求7或8所述的MEMS麥克風的形成方法，其特征在于，所述犧牲層上的凹槽的截面形狀為錐形、矩形或梯形。

10.如權利要求1所述的MEMS麥克風的形成方法，其特征在于，所述犧牲層上的凹槽的深度小于所述犧牲層的厚度。

11.如權利要求1所述的MEMS麥克風的形成方法，其特征在于，采用濕法蝕刻或干法蝕刻工藝去除所述犧牲層。

12.如權利要求11所述的MEMS麥克風的形成方法，其特征在于，所述濕法蝕刻的蝕刻液體為氫氟酸和氟化銨的混合液。

13.如權利要求11所述的MEMS麥克風的形成方法，其特征在于，所述干法蝕刻的蝕刻氣體包括含氟氣體和含碳氣體。

14.如權利要求1所述的MEMS麥克風的形成方法，其特征在于，所述MEMS麥克風的形成方法還包括：在所述振動膜遠離空腔的一側形成一背腔。

15.如權利要求1所述的MEMS麥克風的形成方法，其特征在于，所述振動膜和所述導電層的材質均為多晶硅。

16.如權利要求1所述的MEMS麥克風的形成方法，其特征在于，所述絕緣層的材質為氮化硅。