[發明專利]去除晶片上的二氧化硅的方法及制造工藝在審
| 申請號： | 201610879096.2 | 申請日： | 2016-10-08 |
| 公開（公告）號： | CN107919277A | 公開（公告）日： | 2018-04-17 |
| 發明（設計）人： | 馬振國;張軍;吳鑫 | 申請（專利權）人： | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/311 | 分類號： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京思創畢升專利事務所11218 | 代理人： | 孫向民,廉莉莉 |
| 地址： | 100176 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 去除 晶片 二氧化硅 方法 制造 工藝 | ||
1.一種去除晶片上的二氧化硅的方法，其特征在于，包括：
向工藝腔室內通入脫水的氟化氫氣體和脫水的醇類氣體；
使所述脫水的氟化氫氣體和脫水的醇類氣體混合，生成氣態的刻蝕劑；
使所述刻蝕劑與所述工藝腔室內的晶片反應，并使所述工藝腔室內保持高壓狀態以提高刻蝕選擇比；以及
將所述反應的副產物從所述工藝腔室內抽出。
2.根據權利要求1所述的去除晶片上的二氧化硅的方法，其特征在于，所述工藝腔室內的壓力為50Torr-300Torr。
3.根據權利要求2所述的去除晶片上的二氧化硅的方法，其特征在于，所述工藝腔室內的壓力為200Torr。
4.根據權利要求1所述的去除晶片上的二氧化硅的方法，其特征在于，所述工藝腔室內的溫度為20℃-80℃。
5.根據權利要求4所述的去除晶片上的二氧化硅的方法，其特征在于，所述工藝腔室內的溫度為40℃。
6.根據權利要求1所述的去除晶片上的二氧化硅的方法，其特征在于，所述氟化氫氣體的流量為100sccm-500sccm，所述醇類氣體的流量為100sccm-1000sccm。
7.根據權利要求6所述的去除晶片上的二氧化硅的方法，其特征在于，所述氟化氫氣體的流量為150sccm-225sccm，所述醇類氣體的流量為200sccm-450sccm。
8.根據權利要求1所述的去除晶片上的二氧化硅的方法，其特征在于，所述氟化氫氣體與所述醇類氣體的流量比為0.8～1.2:1。
9.根據權利要求6所述的去除晶片上的二氧化硅的方法，其特征在于，所述氟化氫氣體與所述醇類氣體的流量比為1:1。
10.根據權利要求1所述的去除晶片上的二氧化硅的方法，其特征在于，所述醇類氣體為C1-C8一元醇氣體中的至少一種。
11.根據權利要求10所述的去除晶片上的二氧化硅的方法，其特征在于，所述醇類氣體為甲醇、乙醇和異丙醇中的至少一種。
12.一種集成電路的制造工藝，其特征在于，所述制造工藝包括根據權利要求1-11中任意一項所述的去除晶片上的二氧化硅的方法。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
