[發明專利]氣相刻蝕裝置及設備

有效

• 申請號: 201610879076.5
• 申請日: 2016-10-08
• 公開（公告）號: CN107919298B
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發明（設計）人: 張軍;馬振國;吳鑫;文莉輝;胡云龍;張鶴南;儲芾坪
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京薈英捷創知識產權代理事務所(普通合伙) 11726
• 代理人: 陳亞英

1.一種氣相刻蝕裝置，所述裝置包括：反應腔主體，所述反應腔主體內形成有反應腔室；基座，所述基座處于所述反應腔室的內部，用于承載晶片；進氣件，所述進氣件連接到所述反應腔主體，通過所述進氣件向所述反應腔室的內部通入刻蝕劑；以及壓力組件，所述壓力組件連接到所述反應腔主體，控制所述反應腔室的壓力，其特征在于，所述裝置還包括：第一溫度控制器，所述第一溫度控制器連接到所述反應腔主體，控制所述反應腔室的溫度為第一溫度，所述第一溫度使所述反應腔室不被所述刻蝕劑腐蝕；以及第二溫度控制器，所述第二溫度控制器連接到所述基座，控制所述基座的溫度為第二溫度，所述第二溫度使所述晶片能夠直接進行下一步工藝，而無需進行退火和冷卻處理。

2.根據權利要求1所述的氣相刻蝕裝置，其特征在于，所述第一溫度為50℃～90℃。

3.根據權利要求1所述的氣相刻蝕裝置，其特征在于，所述第二溫度為20℃～60℃。

4.根據權利要求1所述的氣相刻蝕裝置，其特征在于，所述壓力組件包括：壓力控制器，所述壓力控制器調節所述反應腔室的壓力為50Torr～300Torr，以提高所述氣相刻蝕的刻蝕選擇比。

5.根據權利要求1所述的氣相刻蝕裝置，其特征在于，所述裝置還包括：噴淋頭，所述噴淋頭處于所述反應腔室的上部，連接到所述進氣件，所述噴淋頭包括上勻流板和下勻流板，所述刻蝕劑經由所述噴淋頭的上勻流板和下勻流板進入所述反應腔室，其中，所述上勻流板的孔徑大于所述下勻流板的孔徑。

6.根據權利要求1所述的氣相刻蝕裝置，其特征在于，所述裝置還包括：內襯組件，所述內襯組件覆蓋所述反應腔主體的側壁，其中，所述內襯組件包括第一內襯和第二內襯，反應的副產物先后經由所述基座與所述第一內襯之間的空隙，以及所述第一內襯與所述第二內襯之間的空隙進入所述壓力組件。

7.根據權利要求1所述的氣相刻蝕裝置，其特征在于，所述進氣件向反應腔室內通入脫水的氟化氫氣體和脫水的醇類氣體；所述脫水的氟化氫氣體和脫水的醇類氣體混合，生成刻蝕劑，以去除所述晶片上的二氧化硅。

8.一種氣相刻蝕設備，其特征在于，所述設備包括：反應裝置，所述反應裝置包括根據權利要求1-7中的任意一項所述的氣相刻蝕裝置；以及傳輸裝置，所述傳輸裝置連接到所述反應裝置，以使晶片在所述傳輸裝置和所述反應裝置之間傳輸。