[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201610879028.6
• 申請日: 2016-10-08
• 公開（公告）號: CN107068565B
• 公開（公告）日: 2021-06-08
• 發明（設計）人: 金局泰;孫豪成;申東石;沈鉉準;李周利;張星旭
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 張帆;崔卿虎

1.一種半導體器件，包括：

柵極結構，在襯底上，每個柵極結構在第二方向上縱長地延伸，并且在第二方向上彼此間隔開，以使得柵極結構中的每一個在與第二方向交叉的第一方向上具有第一相對側表面并且在第二方向上具有第二相對側表面；

柵極間隔件結構，包括：

柵極結構中的每一個的第一相對側表面上的第一部分，以及

柵極結構中的每一個的第二相對側表面上的第二部分；以及

源極/漏極層，其位于襯底的鄰近柵極間隔件結構的第一部分的一部分上，

其中，在柵極結構中的每一個的第二相對側表面中的每一個中具有對應的壓痕，壓痕在柵極結構的頂表面敞開，以使得將壓痕中的每一個限定在對應的一個柵極結構的頂表面與對應的第二相對側表面之間。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，柵極間隔件結構包括按次序堆疊在柵極結構中的每一個的側表面上的第一柵極間隔件和第二柵極間隔件。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中，第一柵極間隔件和第二柵極間隔件具有實質上相同的材料，以彼此合并。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中，第一柵極間隔件和第二柵極間隔件包括氮化硅。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，源極/漏極層是占據襯底中的凹槽的外延層。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，柵極結構包括：

襯底上的柵極絕緣圖案；

柵極絕緣圖案上的功函數控制圖案；以及

功函數控制圖案上的柵電極，

其中，功函數控制圖案覆蓋柵電極的底表面和側表面。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，第一方向和第二方向實質上彼此垂直。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括位于襯底的上表面的隔離層，并且

其中，所述半導體器件具有向上突出超過隔離層的有源鰭，有源鰭中的每一個在第一方向上縱長地延伸，并且各個有源鰭在第二方向上彼此間隔開，并且

柵極結構中的每一個在有源鰭和隔離圖案上在第二方向上縱長地延伸。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，柵極結構包括布置在半導體器件的第一區中的襯底上的第一柵極結構以及布置在半導體器件的第二區中的襯底上的第二柵極結構，

其中，柵極間隔件結構包括第一柵極間隔件結構和第二柵極間隔件結構，

第一柵極間隔件結構包括位于第一柵極結構中的每一個的第一相對側表面上的第一部分和位于第一柵極結構中的每一個的第二相對側表面上的第二部分，并且

第二柵極間隔件結構包括位于第二柵極結構中的每一個的第一相對側表面上的第一部分和位于第二柵極結構中的每一個的第二相對側表面上的第二部分，

其中，源極/漏極層包括：第一源極/漏極層，其位于襯底的鄰近第一柵極間隔件結構的第一部分的一部分上；以及第二源極/漏極層，其位于襯底的鄰近第二柵極間隔件結構的第一部分的一部分上，并且

其中，在第一柵極結構中的每一個的第二相對側表面中的每一個中具有對應的第一壓痕，并且在第二柵極結構中的每一個的第二相對側表面中的每一個中具有對應的第二壓痕。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，其中，第一區和第二區分別是半導體器件的PMOS區和NMOS區。

11.根據權利要求9所述的半導體器件，其中，第一源極/漏極層的頂表面位于比第二源極/漏極層的水平高度更低的水平高度處。

12.根據權利要求11所述的半導體器件，其中，第一源極/漏極層包括摻有p型雜質的單晶硅-鍺，并且第二源極/漏極層包括摻有n型雜質的單晶硅或者摻有n型雜質的單晶碳化硅。