[發(fā)明專利]光刻工藝中光學(xué)臨近修正方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610876654.X | 申請日： | 2016-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN106444272A | 公開（公告）日： | 2017-02-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李偉峰 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/36 | 分類號： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司31211 | 代理人： | 戴廣志 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 光刻 工藝 光學(xué) 臨近 修正 方法 | ||
【說明書】：
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- 專利分類
G03 攝影術(shù)；電影術(shù)；利用了光波以外其他波的類似技術(shù)；電記錄術(shù)；全息攝影術(shù)
G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準(zhǔn)或測試的特殊涂層或標(biāo)記；其制備
G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準(zhǔn)或測試的特殊涂層或標(biāo)記；其制備
- 為掩模設(shè)計執(zhí)行數(shù)據(jù)準(zhǔn)備的系統(tǒng)、方法和計算機可讀媒體
- 信息處理設(shè)備，信息處理方法和程序
- 臨近業(yè)務(wù)服務(wù)器的選擇方法及裝置、用戶注冊方法及裝置
- 臨近業(yè)務(wù)發(fā)現(xiàn)的資源配置方法及裝置
- 用于臨近服務(wù)的消息發(fā)送、接收方法、設(shè)備及系統(tǒng)
- 避免虛假錯誤的光學(xué)臨近修正檢查方法
- 基于AIS的臨近空間飛艇與船舶的自適應(yīng)通信方法
- 臨近檢測方法及臨近檢測鍵盤
- 航線推送方法、系統(tǒng)、電子設(shè)備和存儲介質(zhì)
- 大氣探測系統(tǒng)
