[發(fā)明專利]具有減少的恢復(fù)時(shí)間的二極管

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610875868.5
• 申請(qǐng)日: 2016-09-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107180877B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-04-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: M·薩姆比;D·里帕莫蒂;D·U·吉祖;D·比恩齊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 意法半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/861
• 分類號(hào): H01L29/861;H01L29/06
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種二極管，包括:

半導(dǎo)體主體，具有前表面，所述半導(dǎo)體主體包括：

具有第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體區(qū)域，至少部分地面對(duì)所述前表面；以及

具有第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體區(qū)域，所述第二半導(dǎo)體區(qū)域至少部分地面對(duì)所述前表面并且與所述第一半導(dǎo)體區(qū)域分隔開(kāi)以及被定位在所述第一半導(dǎo)體區(qū)域的相對(duì)側(cè)上；

溝槽，其從所述前表面開(kāi)始在所述半導(dǎo)體主體中延伸，并且包圍所述第二半導(dǎo)體區(qū)域的至少一部分；以及

側(cè)向絕緣區(qū)域，其被布置在所述溝槽內(nèi)，所述側(cè)向絕緣區(qū)域通過(guò)電介質(zhì)材料形成并且至少部分地接觸所述第二半導(dǎo)體區(qū)域，其中：

所述半導(dǎo)體主體包括第三半導(dǎo)體區(qū)域，其具有所述第一導(dǎo)電類型并且具有低于所述第一半導(dǎo)體區(qū)域的摻雜水平的摻雜水平；并且其中，所述側(cè)向絕緣區(qū)域的頂部部分側(cè)向地由第二半導(dǎo)體區(qū)域覆蓋，所述側(cè)向絕緣區(qū)域的底部部分被布置為與所述第三半導(dǎo)體區(qū)域接觸；

所述半導(dǎo)體主體進(jìn)一步包括具有所述第二導(dǎo)電類型的襯底，所述襯底被布置為與所述第三半導(dǎo)體區(qū)域接觸；以及

所述溝槽部分地貫穿襯底。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二極管，其中，所述第二半導(dǎo)體區(qū)域具有環(huán)形形狀，并且側(cè)向地完全包圍所述第一半導(dǎo)體區(qū)域；并且其中，所述側(cè)向絕緣區(qū)域具有環(huán)形形狀并且側(cè)向地完全包圍所述第二半導(dǎo)體區(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的二極管，其中，所述第二半導(dǎo)體區(qū)域具有接觸所述側(cè)向絕緣區(qū)域的側(cè)向外表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二極管，其中，所述半導(dǎo)體主體進(jìn)一步包括具有所述第一導(dǎo)電類型的第四半導(dǎo)體區(qū)域；所述二極管進(jìn)一步包括布置在所述第三半導(dǎo)體區(qū)域和所述第四半導(dǎo)體區(qū)域之間的掩埋電介質(zhì)區(qū)域；并且其中，所述側(cè)向絕緣區(qū)域接觸所述掩埋電介質(zhì)區(qū)域。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二極管，其中，所述第一導(dǎo)電類型是N型導(dǎo)電性，所述第二導(dǎo)電類型是P型導(dǎo)電性，并且所述第一半導(dǎo)體區(qū)域和所述第二半導(dǎo)體區(qū)域分別形成陰極區(qū)域和陽(yáng)極區(qū)域。

6.一種用于控制電感負(fù)載的控制級(jí)，所述控制級(jí)包括：

多個(gè)晶體管，被配置為控制所述電感負(fù)載；以及

二極管，所述二極管被電耦合到所述晶體管，所述二極管包括：

具有前表面的半導(dǎo)體主體，所述半導(dǎo)體主體包括：

具有第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體區(qū)域，至少部分地面對(duì)所述前表面；以及

具有第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體區(qū)域，所述第二半導(dǎo)體區(qū)域至少部分地面對(duì)所述前表面并且與所述第一半導(dǎo)體區(qū)域分隔開(kāi)以及被定位在所述第一半導(dǎo)體區(qū)域的相對(duì)側(cè)上；

溝槽，其從所述前表面開(kāi)始在所述半導(dǎo)體主體中延伸，并且包圍所述第二半導(dǎo)體區(qū)域的至少一部分；以及

側(cè)向絕緣區(qū)域，其被布置在所述溝槽內(nèi)，所述側(cè)向絕緣區(qū)域通過(guò)電介質(zhì)材料形成并且至少部分地接觸所述第二半導(dǎo)體區(qū)域，其中：

所述半導(dǎo)體主體包括第三半導(dǎo)體區(qū)域，所述第三半導(dǎo)體區(qū)域具有所述第一導(dǎo)電類型并且具有低于所述第一半導(dǎo)體區(qū)域的摻雜水平的摻雜水平；并且其中，所述側(cè)向絕緣區(qū)域的頂部部分側(cè)向地由所述第二半導(dǎo)體區(qū)域覆蓋，所述側(cè)向絕緣區(qū)域的底部部分被布置為與所述第三半導(dǎo)體區(qū)域接觸；

所述半導(dǎo)體主體進(jìn)一步包括具有所述第二導(dǎo)電類型的襯底，所述襯底被布置為與所述第三半導(dǎo)體區(qū)域接觸；以及

所述溝槽部分地貫穿所述襯底。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的控制級(jí)，其中，所述第二半導(dǎo)體區(qū)域具有接觸所述側(cè)向絕緣區(qū)域的側(cè)向外表面。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的控制級(jí)，其中，所述第二半導(dǎo)體區(qū)域具有環(huán)形形狀，并且側(cè)向地完全包圍所述第一半導(dǎo)體區(qū)域；并且其中，所述側(cè)向絕緣區(qū)域具有環(huán)形形狀并且側(cè)向地完全包圍所述第二半導(dǎo)體區(qū)域。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的控制級(jí)，其中，所述半導(dǎo)體主體進(jìn)一步包括具有所述第一導(dǎo)電類型的第四半導(dǎo)體區(qū)域；所述二極管進(jìn)一步包括布置在所述第三半導(dǎo)體區(qū)域和所述第四半導(dǎo)體區(qū)域之間的掩埋電介質(zhì)區(qū)域；并且其中，所述側(cè)向絕緣區(qū)域接觸所述掩埋電介質(zhì)區(qū)域。