[發(fā)明專利]寬范圍負載電容的低壓差線性穩(wěn)壓器

在審

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• 申請日: 2016-10-08
• 公開（公告）號: CN107918433A
• 公開（公告）日: 2018-04-17
• 發(fā)明（設計）人: 肖山
• 申請（專利權）人: 深圳指瑞威科技有限公司
• 主分類號: G05F1/565
• 分類號: G05F1/565
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種寬范圍負載電容的低壓差線性穩(wěn)壓器，其特征在于，包括：放大級、緩沖級、補償網絡和輸出級；

所述放大級為單級放大電路，給整個環(huán)路提供一定的增益，減少增益誤差；

所述緩沖級用于將所述放大級的高輸出阻抗和所述輸出級的輸出極功率管M5的柵極隔離，且其輸出阻抗非常低，使其形成一個高頻極點，利于環(huán)路穩(wěn)定；

所述補償網絡一端與所述放大級輸出連接，一端與所述輸出極的輸出端連接；

所述輸出級，連接一個分壓電阻串，電阻分壓反饋給放大級的負輸入端形成負反饋，輸出穩(wěn)定的電壓，同時提供負載需要的驅動電流。

2.如權利要求1所述的寬范圍負載電容的低壓差線性穩(wěn)壓器，其特征在于，所述放大級由單級運算放大器組成，所述放大級具有正輸入端、負輸入端和輸出端。

3.如權利要求1所述的寬范圍負載電容的低壓差線性穩(wěn)壓器，其特征在于，所述緩沖級由電流源IS1、IS2，晶體管M0、M1、M2、M3、M4組成。

4.如權利要求3所述的寬范圍負載電容的低壓差線性穩(wěn)壓器，其特征在于，所述M0、M1、M2為NMOS管，所述M3、M4為PMOS管；所述M4鏡像所述輸出極功率管M5；電流源IS2>IS1，電流源IS1流進M0；電流源IS2的一部分電流流進M3，一部分電流流進M2；所述M0和M1為1:1的鏡像管，M0和M1的源極接系統(tǒng)地VSS；M2的柵極和M1的漏極相連，M2的漏極和M4的柵極連接，M2的源極接系統(tǒng)地；M3的柵極為所述緩沖級的輸入端，M3的源極與電流源IS2相連，M3的漏極與M1的漏極、M2的柵極相連，M3的源極為所述緩沖級的輸出端；M4的柵、漏極連接到M3的源極，M4的源極接外接電源VDD。

5.如權利要求1所述的寬范圍負載電容的低壓差線性穩(wěn)壓器，其特征在于，所述補償網絡由電阻R1和電壓C1構成，R1和C1串聯(lián)組成環(huán)路補償網絡。

6.如權利要求1所述的寬范圍負載電容的低壓差線性穩(wěn)壓器，其特征在于，所述輸出級由PMOS管M5、電容C2、分壓電阻R2和R3構成。

7.如權利要求6所述的寬范圍負載電容的低壓差線性穩(wěn)壓器，其特征在于，所述M5為所述輸出級的輸出極功率管，具有很強的電流驅動能力；M5的漏極接分壓電阻R2和R3；所述分壓電阻R2和R3串聯(lián)形成分壓電阻串，所述分壓電阻串用于將所述輸出級的電阻分壓連接到放大級的負輸入端形成負反饋環(huán)路；所述電容C2跨接在M5的柵極和漏極之間，用于控制輸出電壓Vout隨負載變化保持較為穩(wěn)定的狀態(tài)，實現較低的負載調整率。