[發明專利]一種薄膜晶體管、陣列基板及其制備方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201610875305.6
• 申請日: 2016-09-30
• 公開（公告）號: CN106409920B
• 公開（公告）日: 2018-03-06
• 發明（設計）人: 胡合合;溫鈺
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/06;H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1368
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司11291
• 代理人: 黃志華

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括柵極層、柵極絕緣層、有源層以及源極和漏極，其中：

所述柵極絕緣層位于所述柵極層與所述有源層之間；

所述源極和漏極位于所述柵極絕緣層背離所述柵極層的一側，且相對設置；

所述柵極層具有凹槽，所述有源層在襯底基板上的投影至少覆蓋所述凹槽在襯底基板上的投影；

其中：

所述有源層位于源極和漏極之間的部分的厚度與柵極絕緣層的厚度之和不大于所述柵極層的凹槽的深度。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層位于源極和漏極之間的部分在襯底基板上的投影位于所述柵極層的凹槽在襯底基板的上投影內。

3.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極層具有多個凹槽。

4.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極層包括層疊設置的第一導電膜層和第二導電膜層，所述第一導電膜層形成所述凹槽的底層，所述第二導電膜層形成所述凹槽的側壁。

5.如權利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一導電膜層的材質為氧化銦錫，所述第二導電膜層的材質為金屬，或者所述第一導電膜層與第二導電膜層材質相同且均為金屬。

6.一種陣列基板，其特征在于，包括襯底基板以及位于襯底基板之上的如權利要求1～5任一項所述的薄膜晶體管。

7.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求6所述的陣列基板。

8.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底基板之上形成柵極層，所述柵極層具有凹槽；

在所述柵極層的上方形成柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層的上方形成有源層；其中，所述有源層在襯底基板上的投影至少覆蓋柵極層的凹槽在襯底基板上的投影；

在所述有源層的上方形成相對設置的源極和漏極；

其中：

所述有源層位于源極和漏極之間的部分的厚度與柵極絕緣層的厚度之和不大于所述柵極層的凹槽的深度。

9.如權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述在襯底基板之上形成柵極層，所述柵極層具有凹槽，具體包括：

在襯底基板上通過一次半色調掩模構圖工藝形成具有凹槽的柵極層，所述柵極層包括層疊設置的第一導電膜層和第二導電膜層；

所述在襯底基板上通過一次半色調掩模構圖工藝形成具有凹槽的柵極層，具體包括：

在襯底基板上依次形成第一導電薄膜和第二導電薄膜；

在第二導電薄膜上涂覆一層正性光刻膠；

使用具有全透光區、半透光區和遮光區結構的掩模板對基板進行曝光，其中，遮光區與基板上預形成具有凹槽的柵極層的區域位置相對，半透光區與基板上預形成第一導電膜層的區域位置相對；

對曝光后的基板進行顯影處理；

對顯影處理后的基板進行刻蝕和灰化處理。