[發明專利]一種半導體重布線方法

有效

• 申請號: 201610874650.8
• 申請日: 2016-09-30
• 公開（公告）號: CN107887324B
• 公開（公告）日: 2019-09-13
• 發明（設計）人: 陳勇輝;唐世弋
• 申請（專利權）人: 上海微電子裝備（集團）股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種半導體重布線方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1：設置承載多個半導體元件的載具，每個所述半導體元件具有若干個電性連接點；

步驟2：測量所述電性連接點相對于所述載具的坐標值，將所述坐標值與標準值對比，獲得每個電性連接點的偏移值；

步驟3：根據得到的偏移值，通過無掩膜光刻的方式，在所述電性連接點形成重布線結構，進行偏移值修正；

步驟4：在所述重布線結構上形成植球墊以及覆蓋所述植球墊的保護層，通過有掩膜曝光方式，對覆蓋所述植球墊的保護層進行光刻，定義出無偏移的植球墊的位置和圖形尺寸。

2.如權利要求1所述的半導體重布線方法，其特征在于，步驟3中通過無掩膜光刻的方式進行偏移值修正方法為：根據所述偏移值的范圍，選擇無掩膜曝光和有掩膜曝光混合的曝光方式。

3.如權利要求2所述的半導體重布線方法，其特征在于，步驟3中設置偏移值的臨界范圍，

當所述電性連接點的偏移值小于所述臨界范圍時，選擇有掩膜曝光方式曝光；

當所述電性連接點的偏移值大于所述臨界范圍時，選擇無掩膜曝光方式曝光；

當所述電性連接點的偏移值位于所述臨界范圍內，計算圍繞當前區域的相鄰區域的個數，在這些相鄰區域中任意一種曝光方式被選擇的次數若大于相鄰區域個數的一半，則當前區域選擇該曝光方式曝光。

4.如權利要求3所述的半導體重布線方法，其特征在于，選取兩條相互垂直且同時平行于所述載具表面的直線方向作為X和Y方向，選取垂直于所述載具表面的直線方向作為Z方向，形成XYZ三維坐標系，步驟2中所述偏移值為X偏移值、Y偏移值和R_Z偏移值至少其一，其中R_Z為圍繞Z軸旋轉的方向。

5.如權利要求3所述的半導體重布線方法，其特征在于，所述臨界范圍為5μm～7μm。

6.如權利要求3所述的半導體重布線方法，其特征在于，步驟3中通過無掩膜光刻的方式進行偏移值修正的方法具體為：

首先對偏移值大于所述臨界范圍的電性連接點，使用無掩膜曝光方式曝光；

然后對偏移值小于所述臨界范圍的電性連接點，使用有掩膜曝光方式曝光，曝光時對已經使用無掩膜方式曝光之處予以屏蔽；

其中對偏移值位于所述臨界范圍內的電性連接點，計算圍繞當前區域的相鄰區域的個數，在這些相鄰區域中任意一種曝光方式被選擇的次數若大于相鄰區域個數的一半，則當前區域選擇該曝光方式曝光。

7.如權利要求3所述的半導體重布線方法，其特征在于，步驟3中通過無掩膜光刻的方式進行偏移值修正的方法具體為：

首先對偏移值小于所述臨界范圍的電性連接點，使用有掩膜曝光方式曝光；

然后對偏移值大于所述臨界范圍的電性連接點，使用無掩膜曝光方式曝光，曝光時對已經使用有掩膜方式曝光之處予以屏蔽；

其中對偏移值位于所述臨界范圍內的電性連接點，計算圍繞當前區域的相鄰區域的個數，在這些相鄰區域中任意一種曝光方式被選擇的次數若大于相鄰區域個數的一半，則當前區域選擇該曝光方式曝光。

8.如權利要求1所述的半導體重布線方法，其特征在于，還包括步驟5，在步驟4得到的植球墊上形成焊球。

9.如權利要求1所述的半導體重布線方法，其特征在于，所述半導體元件為芯片。