[發(fā)明專利]一種拉晶爐在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610874607.1 | 申請(qǐng)日: | 2016-09-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107881553A | 公開(公告)日: | 2018-04-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張汝京;肖德元 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海新昇半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | C30B15/32 | 分類號(hào): | C30B15/32;C30B15/10;C30B29/06 |
| 代理公司: | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)31237 | 代理人: | 余昌昊 |
| 地址: | 201306 上海*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 拉晶爐 | ||
1.一種拉晶爐,包括:
一坩堝,所述坩堝用于裝納熔融硅料;
一籽晶夾頭,所述籽晶夾頭用于夾持用來生長(zhǎng)晶棒的籽晶,所述籽晶夾頭可于所述坩堝的上方上下移動(dòng);
一熱屏,所述熱屏位于所述坩堝上方并具有一開口,在長(zhǎng)晶工藝過程中所述籽晶向下移動(dòng)并經(jīng)由所述開口與所述坩堝中的熔融硅料接觸,以及所形成的晶棒經(jīng)由所述開口拉出;
其特征在于,所述籽晶夾頭在垂直于其移動(dòng)方向上的最大截面尺寸為所形成的晶棒于同一方向上的最大截面尺寸的0.8~1.2倍。
2.如權(quán)利要求1所述的拉晶爐,其特征在于,所述籽晶夾頭包括一第一部件以及一可拆卸連接于所述第一部件上的第二部件,所述第一部件和第二部件共同限制一用于夾持所述籽晶的夾持空間。
3.如權(quán)利要求2所述的拉晶爐,其特征在于,所述第一部件和第二部件以沿著所述籽晶夾頭的移動(dòng)方向連接,所述第二部件連接于所述第一部件的下方。
4.如權(quán)利要求3所述的拉晶爐,其特征在于,所述第二部件上具有一貫穿所述第二部件的通孔,所述籽晶通過所述通孔延伸出。
5.如權(quán)利要求4所述的拉晶爐,其特征在于,所述第二部件靠近所述第一部件的一側(cè)上還具有一凹槽,所述凹槽與所述通孔連通,所述第一部件靠近所述第二部件的端面和所述第二部件上的凹槽以及通孔組合形成所述夾持空間。
6.如權(quán)利要求4所述的拉晶爐,其特征在于,所述第一部件靠近所述第二部件的一側(cè)上具有一凹槽,所述凹槽和所述通孔組合形成所述夾持空間。
7.如權(quán)利要求2所述的拉晶爐,其特征在于,所述第一部件和所述第二部件通過螺紋連接。
8.如權(quán)利要求7所述的拉晶爐,其特征在于,所述第一部件在其與所述第二部件的連接處設(shè)置有內(nèi)螺紋,所述第二部件在其與所述第一部件的連接處設(shè)置有外螺紋。
9.如權(quán)利要求1所述的拉晶爐,其特征在于,所述籽晶的一端具有一位于所述籽晶夾頭內(nèi)的夾持部件,所述籽晶的另一端從所述籽晶夾頭中延伸出以用于和所述坩堝中的熔融硅料接觸。
10.如權(quán)利要求9所述的拉晶爐,其特征在于,所述籽晶的夾持部件為T型或I型結(jié)構(gòu)。
11.如權(quán)利要求1所述的拉晶爐,其特征在于,所形成的晶棒包括引晶、晶冠、晶體以及尾部,所述晶體為圓柱體結(jié)構(gòu)。
12.如權(quán)利要求11所述的拉晶爐,其特征在于,所述籽晶夾頭在垂直于其移動(dòng)方向上具有最大截面尺寸的截面形狀為圓形。
13.如權(quán)利要求1所述的拉晶爐,其特征在于,所述拉晶爐還包括一提拉單元,所述拉晶單元設(shè)置于所述坩堝上方并連接所述籽晶夾頭,用于控制所述籽晶夾頭的上下移動(dòng)。
14.如權(quán)利要求13所述的拉晶爐,其特征在于,所述拉晶單元包括一提拉線以及一控制所述提拉線上升下降的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),所述提拉線連接所述籽晶夾頭。
15.如權(quán)利要求1所述的拉晶爐,其特征在于,所述拉晶爐還包括一加熱器,所述加熱器圍繞所述坩堝設(shè)置。
16.如權(quán)利要求1所述的拉晶爐,其特征在于,所述拉晶爐還包括一惰性氣體供應(yīng)系統(tǒng),所述惰性氣體供應(yīng)系統(tǒng)用于向拉晶爐的爐內(nèi)通入惰性氣體。
17.如權(quán)利要求16所述的拉晶爐,其特征在于,所述惰性氣體為氬氣。
18.如權(quán)利要求1所述的拉晶爐,其特征在于,所述拉晶爐采用磁場(chǎng)直拉法形成所述晶棒。
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