[發(fā)明專利]攝像器件和電子裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610873625.8 | 申請日: | 2012-04-28 |
| 公開(公告)號: | CN106847842B | 公開(公告)日: | 2018-07-13 |
| 發(fā)明(設計)人: | 山口哲司 | 申請(專利權)人: | 索尼半導體解決方案公司 |
| 主分類號: | H04N5/225 | 分類號: | H04N5/225;H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11290 | 代理人: | 曹正建;陳桂香 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基板 光電轉換單元 光電轉換膜 攝像器件 電子裝置 靈敏度 配線層 光電轉換層 布置位置 光軸方向 光入射 入射光 減小 鄰近 | ||
1.一種攝像器件,其包括:
基板,其具有第一側和作為光入射側的第二側,所述基板包括第一光電轉換單元和第二光電轉換單元;
配線層,其布置成鄰近所述基板的所述第一側;以及
光電轉換膜,其布置在所述基板的所述第二側上,
其中,所述第二光電轉換單元的至少一部分布置在所述第一光電轉換單元與所述光電轉換膜之間,且
其中,所述基板布置在所述光電轉換膜與所述配線層之間,
所述攝像器件還包括:
浮動擴散區(qū)域;和
遮光膜,其位于所述光電轉換膜與所述基板的所述第二側之間,
其中,電荷經(jīng)由所述遮光膜被從所述光電轉換膜傳輸?shù)剿龈訑U散區(qū)域。
2.如權利要求1所述的攝像器件,其還包括:
下部電極;和
上部電極,
其中,所述光電轉換膜位于所述下部電極與所述上部電極之間。
3.如權利要求2所述的攝像器件,其還包括:
絕緣膜,其位于所述基板的所述第二側與所述下部電極之間,
其中,所述光電轉換膜的一部分布置在所述絕緣膜上。
4.如權利要求3所述的攝像器件,其中,所述光電轉換膜的一部分布置在所述下部電極上。
5.如權利要求4所述的攝像器件,其中,所述下部電極是以像素為單位形成的。
6.如權利要求5所述的攝像器件,其中,所述上部電極被多個像素共用。
7.如權利要求6所述的攝像器件,其還包括:
透明電極,其形成在所述上部電極上,
其中,所述透明電極經(jīng)由至少一個接觸單元電連接到所述基板。
8.如權利要求7所述的攝像器件,其還包括:
像素陣列,其包括所述多個像素,
其中,所述至少一個接觸單元位于所述像素陣列的周邊部分中。
9.如權利要求1所述的攝像器件,其中,所述遮光膜包括Ti、TiN或W中的至少一者。
10.如權利要求1所述的攝像器件,其還包括:
像素陣列,其包括多個像素,
其中,所述遮光膜位于所述像素陣列中的相鄰像素之間,且
其中,所述遮光膜被設定成預定電位。
11.如權利要求7所述的攝像器件,其還包括:
另一遮光膜,其形成在所述透明電極上并處于不進行光電轉換的光學黑區(qū)域中。
12.如權利要求2所述的攝像器件,其還包括:
電極,其布置在所述上部電極上;和
供電單元,
其中,所述電極電連接到所述供電單元。
13.如權利要求2所述的攝像器件,其還包括:
供電單元,其電連接到所述上部電極。
14.如權利要求2所述的攝像器件,其中,所述上部電極是透明的。
15.如權利要求2所述的攝像器件,其中,所述下部電極是透明的。
16.如權利要求2所述的攝像器件,其還包括:
絕緣膜,其布置在所述下部電極的邊緣處。
17.如權利要求1所述的攝像器件,其中,所述光電轉換膜被多個像素共用。
18.如權利要求1所述的攝像器件,其中,所述光電轉換膜對綠色光敏感。
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