[發明專利]萘嵌間二氮雜苯衍生物及應用在審
| 申請號： | 201610872846.3 | 申請日： | 2016-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN107880050A | 公開（公告）日： | 2018-04-06 |
| 發明（設計）人： | 范洪濤;邢其鋒;張偉;張向慧 | 申請（專利權）人： | 北京鼎材科技有限公司;固安鼎材科技有限公司 |
| 主分類號： | C07D487/16 | 分類號： | C07D487/16;C07F7/08;C09K11/06;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 100192 北京市海淀區西小口路*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 萘嵌間二氮雜苯 衍生物 應用 | ||
1.一種通式化合物由如下通式(I)表示：
其中，
A1、A2分別獨立選自C1～C12的烷基、C6～C60的取代或未取代的芳基、C10～C60的取代或未取代的稠環芳基；
所述取代的芳基具體指其取代基選自C1～C8的烷基、鹵素、CN，或者選自Si(R1)3，該R1選自C1～C6的烷基；
所述和取代的稠環芳基具體指其取代基選自C1～C8的烷基、鹵素、CN，或者選自Si(R2)3，該R2選自C1～C6的烷基。
2.根據權利要求1中所述的通式化合物，其中：
A1、A2分別獨立選自C1～C6的烷基、C6～C30的取代或未取代的芳基、C10～C30的取代或未取代的稠環芳基；
所述取代的芳基具體指其取代基選自C1～C6的烷基、Cl、Br、CN，或者選自Si(CH3)3；
所述和取代的稠環芳基具體指其取代基選自C1～C6的烷基、Cl、Br、CN，或者選自Si(CH3)3。
3.根據權利要求1或2所述的通式化合物，其中，A1與A2相同。
4.根據權利要求1或2所述的通式化合物，其中：
A1、A2分別獨立選自甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、異丙基、異丁基、叔丁基、環戊基、環己基、環庚基、亞乙基、亞丙基、亞丁基或亞戊基；
或者，A1、A2分別獨立選自苯基、甲苯基、聯苯基、萘基、菲基、熒蒽基、屈基、芘基、三亞苯基、蒽基、9,9-二甲基芴基、螺芴基、茚并芴基。
5.根據權利要求1或2所述的通式化合物，選自下述具體結構式：
6.權利要求1或2所述的通式化合物在有機電致發光器件中用作空穴傳輸材料。
7.權利要求5所述的結構化合物在有機電致發光器件中用作空穴傳輸材料。
8.一種制備權利要求1或2所述通式化合物的方法，其特征在于，在氮氣保護下，利用中間體M1與硼酸偶聯反應得到目標化合物，所述中間體M1結構如下：
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