[發明專利]半導體制作工藝

在審

• 申請號: 201610871615.0
• 申請日: 2016-09-30
• 公開（公告）號: CN106653607A
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發明（設計）人: 韓廣濤;陸陽;任遠程;周遜偉
• 申請（專利權）人: 杰華特微電子（張家港）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/06;H01L29/40
• 代理公司: 杭州知通專利代理事務所(普通合伙)33221
• 代理人: 應圣義

1.一種半導體制作工藝，其特征在于，包括以下步驟：

在注入n阱和p阱之前，在漂移區生長第一襯墊氧化層；

在注入n阱和p阱的同時，將n阱和p阱打開區域的所述第一襯墊氧化層去掉；

在去掉所述第一襯墊氧化層的區域生長第二襯墊氧化層，所述第二襯墊氧化層的厚度小于所述第一襯墊氧化層的厚度；

在所述第一襯墊氧化層和所述第二襯墊氧化層上淀積氮化物薄膜，生長場氧，形成長度不同的鳥嘴。

2.根據權利要求1所述的半導體制作工藝，其特征在于，所述在漂移區生長第一襯墊氧化層之后，還包括以下步驟：

利用n阱光刻板和p阱光刻板分別打開n阱和p阱區域，進行阱注入。

3.根據權利要求1所述的半導體制作工藝，其特征在于，所述在第一襯墊氧化層和第二襯墊氧化層上淀積氮化物薄膜，生長場氧，形成長度不同的鳥嘴，包括以下步驟：

在所述第一襯墊氧化層和所述第二襯墊氧化層上淀積氮化物薄膜；

利用有源區光刻板，將場區淀積的氮化物薄膜去掉，生長場氧，在所述第一襯墊氧化層所在區域和所述第二襯墊氧化層所在區域分別形成長度不同的鳥嘴。

4.根據權利要求1至3任一項所述的半導體制作工藝，其特征在于，所述在第一襯墊氧化層和第二襯墊氧化層上淀積氮化物薄膜，生長場氧，形成長度不同的鳥嘴之后，還包括以下步驟：

去除所述第一襯墊氧化層、第二襯墊氧化層以及氮化物薄膜，生長柵氧；

在生長的柵氧上淀積多晶硅，并刻蝕形成柵極，然后進行源極和漏極注入。

5.根據權利要求1至3任一項所述的半導體制作工藝，其特征在于，采用濕氧法生長所述第一襯墊氧化層和第二襯墊氧化層。

6.根據權利要求1至3任一項所述的半導體制作工藝，其特征在于，采用干氧法生長所述第一襯墊氧化層和第二襯墊氧化層。

7.根據權利要求1至3任一項所述的半導體制作工藝，其特征在于，采用化學氣相淀積法在所述第一襯墊氧化層和所述第二襯墊氧化層上淀積氮化物薄膜。

8.根據權利要求1至3任一項所述的半導體制作工藝，其特征在于，所述第一襯墊氧化層的厚度范圍為200A~1000A。

9.根據權利要求1至3任一項所述的半導體制作工藝，其特征在于，所述第二襯墊氧化層的厚度范圍為50A~500A。