[發明專利]熱電結構體、熱電器件和其制造方法

在審

• 申請號: 201610868492.5
• 申請日: 2016-09-29
• 公開（公告）號: CN107017333A
• 公開（公告）日: 2017-08-04
• 發明（設計）人: 金圣雄;金恩聲;黃在烈;樸晟準;申鉉振
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社;成均館大學校產學協力團
• 主分類號: H01L35/34
• 分類號: H01L35/34;H01L35/16
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 金擬粲

1.制造熱電結構體的方法，所述方法包括：

朝著靶發射激光以從所述靶分離構成所述靶的材料的至少第一和第二部分，所述靶包括碲(Te)；

基于在氧化物基底上沉積所述材料的第一部分而形成緩沖層，所述緩沖層包括氧化碲；和

基于在所述緩沖層上沉積所述材料的第二部分而形成薄膜結構體，所述薄膜結構體包括Te。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述發射激光包括發射脈沖激光，所述脈沖激光具有范圍0.5Hz-4Hz的頻率。

3.如權利要求1所述的方法，其中所述發射激光包括使用氟化氪(KrF)準分子激光器設備發射激光。

4.如權利要求1所述的方法，其中所述朝著靶發射激光包括使用所述激光向所述靶施加一定量的能量，所述能量的量等于或小于45mJ。

5.如權利要求1所述的方法，其中所述形成薄膜結構體包括在一段流逝的時間內形成具有10nm-100nm厚度的薄膜結構體，該段流逝的時間等于或小于2小時。

6.如權利要求1所述的方法，其中所述薄膜結構體在所述薄膜結構體的厚度方向上具有熱導率，所述熱導率范圍為0.14W/(m·K)-0.3W/(m·K)。

7.如權利要求1所述的方法，其中所述薄膜結構體具有等于或小于0.1度的通過進行歐米伽(ω)掃描獲得的半寬度(FWHM)。

8.如權利要求1所述的方法，其中所述靶進一步包括如下的至少一種：鉍(Bi)、銻(Sb)、和硒(Se)。

9.如權利要求1所述的方法，其中，

所述薄膜結構體包括多個薄膜層，和

所述多個薄膜層在所述多個薄膜層各自的厚度方向上堆疊。

10.如權利要求9所述的方法，其中所述多個薄膜層各自包括Bi_0.5Sb_1.5Te₃。

11.如權利要求1所述的方法，其中，

所述緩沖層包括：

在所述氧化物基底上的第一緩沖層，所述第一緩沖層包括氧化碲，和

在所述第一緩沖層上的第二緩沖層，所述第二緩沖層包括Te。

12.如權利要求1所述的方法，其中所述緩沖層具有范圍0.2nm-2nm的厚度。

13.如權利要求1所述的方法，其進一步包括：

將所述薄膜結構體從所述緩沖層分離。

14.如權利要求13所述的方法，其進一步包括：

將分離的薄膜結構體放置在單獨的基底上，所述單獨的基底包括與氧化物基底不同的材料。

15.熱電結構體，其包括：

氧化物基底；

在所述氧化物基底上的薄膜結構體，所述薄膜結構體包括碲(Te)；以及在所述氧化物基底和所述薄膜結構體之間的緩沖層，所述緩沖層包括氧化碲。

16.如權利要求15所述的熱電結構體，其中所述薄膜結構體具有10nm-100nm的厚度。

17.如權利要求15所述的熱電結構體，其中所述薄膜結構體在所述薄膜結構體的厚度方向上具有熱導率，所述熱導率范圍為0.14W/(m·K)-0.3W/(m·K)。

18.如權利要求15所述的熱電結構體，其中所述薄膜結構體具有等于或小于0.1度的通過進行歐米伽(ω)掃描獲得的半寬度(FWHM)。

19.如權利要求15所述的熱電結構體，其中所述薄膜結構體包括如下的至少一種：鉍(Bi)、銻(Sb)、和硒(Se)。

20.如權利要求15所述的熱電結構體，其中，

所述薄膜結構體包括多個薄膜層；和

所述多個薄膜層在所述多個薄膜層各自的厚度方向上堆疊。

21.如權利要求20所述的熱電結構體，其中所述多個薄膜層各自包括Bi_0.5Sb_1.5Te₃。