[發明專利]一種光刻膠的涂膠工藝

在審

• 申請號: 201610867848.3
• 申請日: 2016-09-30
• 公開（公告）號: CN107885035A
• 公開（公告）日: 2018-04-06
• 發明（設計）人: 張劍
• 申請（專利權）人: 蘇州能訊高能半導體有限公司
• 主分類號: G03F7/16
• 分類號: G03F7/16
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 張海英,林波

技術領域

本發明涉及半導體制造工藝技術領域，尤其涉及一種光刻膠的涂膠工藝。

背景技術

光刻膠主要是由樹脂(Resin)、感光劑(Sensitizer)以及溶劑(Solvent)等不同的材料混合而成。其中，樹脂是粘合劑(Binder)，感光劑是一種光活性(Photoactivity)極強的化合物，它在光刻膠內的含量與樹脂相當，以液態形式保存，以便于使用。負光刻膠在遇光之后會產生鏈接(Cross Lingking)，使其結構加強而不溶于顯影劑。正光刻膠本身難溶于顯影劑，但遇光之后會分解成一種易溶于顯影劑的結構。

傳統的光刻膠的涂膠過程為：先將噴嘴移動至晶圓正中心上方，在晶圓靜止時噴膠或高速旋轉時噴膠，然后進一步高速旋轉甩勻。然而，通過這種方式涂出的膠膜厚受環境溫濕度及噴頭位置影響很大。另外，現有技術中使用的老式的涂膠機，如SVG88，其涂膠腔體為敞開式的，無溫濕度控制系統及頂部整流罩，且噴膠管較粗，無法噴出柱狀液，噴嘴不能保證每次噴膠時都保持在晶圓正中心上方，同一直徑方向膜厚呈W狀分布。由于設備的局限，膜厚均勻性較差。

發明內容

本發明的目的在于提出一種光刻膠的涂膠工藝，能夠極大地改善光刻膠在晶圓上涂膠的均勻性。

為達此目的，本發明采用以下技術方案：

一種光刻膠的涂膠工藝，所述光刻膠涂布于晶圓的表面上，所述晶圓置于離心機的真空吸盤上，所述晶圓的上方設置有光刻膠噴嘴，所述涂膠工藝包括如下步驟：

S101、所述光刻膠噴嘴移動至所述晶圓的上方位置1處，同時所述真空吸盤帶動所述晶圓以速度1高速旋轉；

S102、所述光刻膠噴嘴在所述位置1處噴出光刻膠，并沿著所述晶圓的徑向以速度2向位置2處移動，移動過程中所述光刻膠噴嘴保持噴膠狀態；

S103、所述光刻膠噴嘴到達所述位置2處并停留在所述位置2處持續噴膠一段時間后停止噴膠；

S104、所述真空吸盤帶動所述晶圓以速度3高速旋轉，以使噴涂于所述晶圓的表面的光刻膠均勻覆蓋于所述晶圓的表面；

其中，所述位置1與所述位置2分別位于所述晶圓的中心的兩側。

作為一種優選，在S101中，所述位置1與所述晶圓的中心之間的水平距離a為0.5～5cm，所述速度1的旋轉轉速為2000～5000r/min。

作為一種優選，在S102中，所述光刻膠噴頭的移動速度為0.5～10cm/s。

作為一種優選，在S103中，所述位置2與所述晶圓的中心之間的水平距離b為0.1～3cm。

作為一種優選，在S103中，所述光刻膠噴嘴在所述位置2處的停留時間為0～2s。

作為一種優選，在S104中，所述速度3的旋轉轉速為2500～5000r/min。

作為一種優選，當所述位置1位于所述晶圓的中心的左側時，所述位置2則位于所述晶圓的中心的右側，所述光刻膠噴頭從左向右移動。

作為一種優選，當所述位置1位于所述晶圓的中心的右側時，所述位置2則位于所述晶圓的中心的左側，所述光刻膠噴頭從右向左移動。

本發明的有益效果為：

本發明的光刻膠的涂膠工藝，其不同于傳統的在晶圓的正中心進行噴涂光刻膠，并通過旋轉使光刻膠由中心一點向外圍鋪開的方式，通過在位置1和位置2兩個位置之間一邊噴膠一邊從位置1向位置2移動，實現了同步噴膠與移動，降低涂膠設備對光刻膠噴嘴中心與晶圓中心定位穩定性的依賴，因而降低了晶圓表面的光刻膠對環境溫濕度、噴嘴噴出的膠柱形狀的要求，極大地改善光刻膠在晶圓上涂膠的均勻性。

附圖說明

圖1是本發明的光刻膠的涂膠工藝流程示意圖。

圖2是本發明的光刻膠的涂膠工藝的原理示意圖。

圖3是本發明的光刻膠的涂膠工藝的光刻膠噴嘴在位置1時的噴膠結構示意圖。

圖4是本發明的光刻膠的涂膠工藝的光刻膠噴嘴在位置2時的噴膠結構示意圖。

圖中：101-真空吸盤；102-晶圓；103-光刻膠噴嘴。

具體實施方式

下面結合附圖并通過具體實施方式來進一步說明本發明的技術方案。

圖1為本發明的光刻膠的涂膠工藝流程示意圖，圖2是本發明的光刻膠的涂膠工藝的原理示意圖，圖3是本發明的光刻膠的涂膠工藝的光刻膠噴嘴在位置1時的噴膠結構示意圖，圖4是本發明的光刻膠的涂膠工藝的光刻膠噴嘴在位置2時的噴膠結構示意圖。