[發(fā)明專利]半導體元件的清洗用液體組合物及半導體元件的清洗方法、以及半導體元件的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610867835.6
• 申請日: 2016-09-29
• 公開（公告）號: CN106952803B
• 公開（公告）日: 2022-07-19
• 發(fā)明（設計）人: 青山公洋;田島恒夫
• 申請（專利權）人: 三菱瓦斯化學株式會社
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/311
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種清洗用液體組合物，其抑制包含鈷元素的材料和包含銅元素的材料的腐蝕，并且將氮化鈦硬掩模去除，所述清洗用液體組合物包含1～30質量％的過氧化氫、0.01～1質量％的氫氧化鉀、0.0003～0.005質量％的氨基多亞甲基膦酸、0.00005～0.5質量％的具有13族元素的化合物、以及水，所述具有13族元素的化合物為選自由硫酸鋁、氯化鋁及乳酸鋁組成的組中的1種以上。

2.根據(jù)權利要求1所述的清洗用液體組合物，其中，所述氨基多亞甲基膦酸為選自由氨基三(亞甲基膦酸)、乙二胺四(亞甲基膦酸)、二亞乙基三胺五(亞甲基膦酸)及1,2-丙二胺四(亞甲基膦酸)組成的組中的1種以上。

3.根據(jù)權利要求1所述的清洗用液體組合物，其中，所述包含鈷元素的材料為鈷或鈷合金，所述包含銅元素的材料為銅或銅合金。

4.一種清洗方法，其是抑制半導體元件中的包含鈷元素的材料和包含銅元素的材料的腐蝕，并且將氮化鈦硬掩模去除的半導體元件的清洗方法，所述半導體元件至少具有包含鈷元素的材料和包含銅元素的材料和氮化鈦硬掩模，

所述清洗方法包含使清洗用液體組合物和所述半導體元件接觸的工序，所述清洗用液體組合物包含1～30質量％的過氧化氫、0.01～1質量％的氫氧化鉀、0.0003～0.005質量％的氨基多亞甲基膦酸、0.00005～0.5質量％的具有13族元素的化合物、以及水，所述具有13族元素的化合物為選自由硫酸鋁、氯化鋁及乳酸鋁組成的組中的1種以上。

5.根據(jù)權利要求4所述的清洗方法，其中，所述氨基多亞甲基膦酸為選自由氨基三(亞甲基膦酸)、乙二胺四(亞甲基膦酸)、二亞乙基三胺五(亞甲基膦酸)及1,2-丙二胺四(亞甲基膦酸)組成的組中的1種以上。

6.根據(jù)權利要求4所述的清洗方法，其中，所述包含鈷元素的材料為鈷或鈷合金，所述包含銅元素的材料為銅或銅合金。

7.一種半導體元件的制造方法，所述半導體元件具有包含鈷元素的材料和包含銅元素的材料，

所述制造方法包含使用清洗用液體組合物，抑制所述包含鈷元素的材料和包含銅元素的材料的腐蝕，并且將氮化鈦硬掩模去除的工序，所述清洗用液體組合物包含1～30質量％的過氧化氫、0.01～1質量％的氫氧化鉀、0.0003～0.005質量％的氨基多亞甲基膦酸、0.00005～0.5質量％的具有13族元素的化合物、以及水，所述具有13族元素的化合物為選自由硫酸鋁、氯化鋁及乳酸鋁組成的組中的1種以上。

8.根據(jù)權利要求7所述的制造方法，其中，所述氨基多亞甲基膦酸為選自由氨基三(亞甲基膦酸)、乙二胺四(亞甲基膦酸)、二亞乙基三胺五(亞甲基膦酸)及1,2-丙二胺四(亞甲基膦酸)組成的組中的1種以上。

9.根據(jù)權利要求7所述的制造方法，其中，所述包含鈷元素的材料為鈷或鈷合金，所述包含銅元素的材料為銅或銅合金。