[發(fā)明專利]有機(jī)發(fā)光二極管顯示器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610867418.1 | 申請(qǐng)日: | 2016-09-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106847170B | 公開(公告)日: | 2019-06-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金洛禹;沈載昊;余東炫 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號(hào): | G09G3/3208 | 分類號(hào): | G09G3/3208 |
| 代理公司: | 北京律誠同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;趙靜 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機(jī) 發(fā)光二極管 顯示器 | ||
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器(10),包含像素,其中每個(gè)像素具有驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT),所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)用于基于施加至所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)的柵極電極(DG)的電壓調(diào)整流過有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的電流,所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器(10)進(jìn)一步包含:
與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)的所述柵極電極(DG)相鄰的信號(hào)線(DL1);和
位于所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)的所述柵極電極(DG)上方的第一屏蔽電極(TM),在所述第一屏蔽電極(TM)與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)的所述柵極電極(DG)之間有第一絕緣層(IN2),
其中所述第一屏蔽電極(TM)比所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)的所述柵極電極(DG)向著所述信號(hào)線(DL1)更進(jìn)一步突出,并且
其中所述第一屏蔽電極(TM)位于與所述信號(hào)線(DL1)不同的層上,且在所述第一屏蔽電極(TM)與所述信號(hào)線(DL1)之間有第二絕緣層(IN3),所述信號(hào)線(DL1)位于所述第二絕緣層(IN3)上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中所述信號(hào)線(DL1)與所述第一屏蔽電極(TM)之間的距離比所述信號(hào)線(DL1)與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)的所述柵極電極(DG)之間的距離短。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中所述第一屏蔽電極(TM)構(gòu)造成連接至第一恒定電壓源(EVDD)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中所述第一屏蔽電極(TM)構(gòu)造成第一電容器(C1)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中:
在所述信號(hào)線(DL1)與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)的所述柵極電極(DG)之間形成有寄生電容器;
所述第一電容器(C1)是通過所述第一屏蔽電極(TM)和所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)的所述柵極電極(DG)的重疊而形成的;并且
所述第一電容器(C1)具有比所述寄生電容器高的電容。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中所述第一電容器(C1)構(gòu)造成抑制像素電壓放電。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器(10)進(jìn)一步包含:
位于所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)的所述柵極電極(DG)下方的第二屏蔽電極(BM),在所述第二屏蔽電極(BM)與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)的所述柵極電極(DG)之間有第三絕緣層(IN1),
其中所述第二屏蔽電極(BM)比所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)的所述柵極電極(DG)向著所述信號(hào)線(DL1)更進(jìn)一步突出。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中所述信號(hào)線(DL1)與所述第二屏蔽電極(BM)之間的距離比所述信號(hào)線(DL1)與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)的所述柵極電極(DG)之間的距離短。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中所述第二屏蔽電極(BM)構(gòu)造成連接至第二恒定電壓源(EVDD)。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中所述第二屏蔽電極(BM)構(gòu)造成第二電容器(C2)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中:
在所述信號(hào)線(DL1)與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)的所述柵極電極(DG)之間形成有寄生電容器;
所述第二電容器(C2)是通過所述第二屏蔽電極(BM)和所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)的所述柵極電極(DG)的重疊而形成的;并且
所述第二電容器(C2)具有比所述寄生電容器高的電容。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中所述第二電容器(C2)構(gòu)造成抑制像素電壓放電。
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G09G3-02 .采用在屏幕上跟蹤或掃描光束的
G09G3-04 .用于從許多字符中選取單個(gè)字符或用個(gè)別的元件組合構(gòu)成字符來顯示單個(gè)字符,例如分段
G09G3-20 .用于顯示許多字符的組合,例如用排列成矩陣的單個(gè)元件組成系統(tǒng)構(gòu)成的頁面
G09G3-22 ..采用受控制光源
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