[發(fā)明專利]太陽能電池背鈍化膜層結(jié)構(gòu)和制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610865158.4 | 申請(qǐng)日： | 2016-09-29 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN106169510B | 公開（公告）日： | 2017-09-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 喬琦;魯科;錢洪強(qiáng);陸紅艷;黃海濤;陳如龍 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 無錫尚德太陽能電力有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L31/0216 | 分類號(hào)： | H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙)32104 | 代理人： | 曹祖良,屠志力 |
| 地址： | 214028 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 太陽能電池 鈍化 結(jié)構(gòu) 制備 方法 | ||
1.一種太陽能電池背鈍化膜層結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，
在太陽能電池襯底(1)背表面依次形成有氧化鋁膜(2)、第一氮化硅膜(3)和第二氮化硅膜(4)，形成多層背鈍化膜疊層結(jié)構(gòu)；其中，
氧化鋁膜(2)膜厚范圍15-30nm；折射率1.60-1.65；
第一氮化硅膜(3)膜厚范圍50-90nm；折射率2.05-2.15；
第二氮化硅膜(4)膜厚范圍50-90nm；折射率1.95-2.05；
包括下述步驟：
步驟S1，采用一種PECVD設(shè)備在襯底背表面沉積氧化鋁膜(2)，襯底溫度300-400℃，功率2000-3000W，通入TMA與N2O氣體，TMA與N2O流量比1:5-1:10，氣壓0.10-0.20mbar；
步驟S2，然后采用另一種PECVD設(shè)備在氧化鋁膜(2)上沉積第一氮化硅膜(3)，襯底溫度400-500℃，功率5000-7000W，通入SiH4與NH3氣體，SiH4與NH3流量比1:5-1:10；氣壓100-300pa；
步驟S3，隨后采用步驟S2中相同設(shè)備繼續(xù)沉積第二氮化硅膜(3)，襯底溫度400-500℃，功率5000-7000W，通入SiH4與NH3氣體，SiH4與NH3流量比1:10-1:15；氣壓100-300pa。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
- 卡片結(jié)構(gòu)、插座結(jié)構(gòu)及其組合結(jié)構(gòu)
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