[發明專利]用于p型AlGaN霍爾測試的歐姆接觸層及其制備方法

在審

• 申請號: 201610864320.0
• 申請日: 2016-09-29
• 公開（公告）號: CN106783978A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 田愛琴;劉建平;池田昌夫;張書明;李德堯;張立群;楊輝
• 申請（專利權）人: 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
• 主分類號: H01L29/45
• 分類號: H01L29/45;H01L21/285;H01S5/323;G01R27/08
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司44304
• 代理人: 孫偉峰,武岑飛

1.一種用于p型AlGaN霍爾測試的歐姆接觸層，其特征在于，包括：

襯底；

在所述襯底上的緩沖層；

在所述緩沖層上的不摻雜的u型GaN層；

在所述u型GaN層上的p型AlGaN厚層；

在所述p型AlGaN厚層上的Al組分漸變的p型AlGaN層；

在所述Al組分漸變的p型AlGaN層上的重摻雜的p型GaN層。

2.根據權利要求1所述的歐姆接觸層，其特征在于，所述緩沖層為500℃低溫生長的GaN緩沖層。

3.根據權利要求1所述的歐姆接觸層，其特征在于，所述u型GaN層的生長溫度為1000℃～1040℃，且其厚度為100nm～5000nm。

4.根據權利要求1所述的歐姆接觸層，其特征在于，所述p型AlGaN厚層的Al組分為4％～10％，且其厚度為300nm～1500nm，且其Mg摻雜濃度為1×10¹⁹cm^-3～4×10¹⁹cm^-3，且其生長溫度為900℃～1030℃。

5.根據權利要求1所述的歐姆接觸層，其特征在于，所述Al組分漸變的p型AlGaN層的厚度為10nm～30nm，且其Mg摻雜濃度為1×10¹⁹cm^-3～4×10¹⁹cm^-3，且其生長溫度為900℃～1030℃。

6.根據權利要求1或5所述的歐姆接觸層，其特征在于，按照從所述p型AlGaN厚層到所述p型GaN層的方向，所述Al組分漸變的p型AlGaN層中的Al組分線性減小，直至減小到0。

7.根據權利要求1所述的歐姆接觸層，其特征在于，所述p型GaN層的Mg摻雜濃度為1×10²⁰cm^-3～4×10²¹cm^-3，且其生長溫度為900℃～1030℃，且其厚度為10nm～30nm。

8.一種權利要求1至7任一項所述的歐姆接觸層的制備方法，其特征在于，包括：

處理襯底；

在處理后的襯底上生長GaN緩沖層；

在所述GaN緩沖層上生長不摻雜的u型GaN層；

在所述u型GaN層上生長摻Mg的p型AlGaN厚層；

在所述p型AlGaN厚層上生長摻Mg的且Al組分漸變的p型AlGaN層；

在所述p型AlGaN層上生長重摻Mg的p型GaN層。

9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，在所述p型AlGaN厚層上生長摻Mg的且Al組分漸變的p型AlGaN層中，根據將要形成的所述p型AlGaN層的厚度以及生長速率，確定將要形成的所述p型AlGaN層的生長時間，使Al源流量隨著所述生長時間線性減小，直至減小到0。

10.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，在處理襯底的步驟中，將襯底在氫氣氣氛里進行高溫退火，以清潔所述襯底。