[發明專利]一種鑄錠多晶硅片鋁吸雜的方法

有效

• 申請號: 201610864021.7
• 申請日: 2016-09-29
• 公開（公告）號: CN106449873B
• 公開（公告）日: 2018-05-01
• 發明（設計）人: 張輝;解新建;陳貴鋒;常雪巖;閻文博;陶俊光
• 申請（專利權）人: 河北工業大學
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L21/322
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司33200
• 代理人: 萬尾甜,韓介梅

1.一種鑄錠多晶硅片鋁吸雜的方法，其特征在于，包括如下工藝流程：

（1）清洗：采用標準的RCA液清洗方式清洗鑄錠多晶硅片，去除硅片表面的有機顆粒及金屬雜質；

（2）真空蒸鍍鋁層：把清洗過后的多晶硅片放入真空蒸鍍設備中進行表面蒸鋁，所述的鋁層的厚度為1.0~1.5μm；

（3）進爐：將鍍鋁的多晶硅片放入管式退火爐中，并勻速升溫至800~830℃，勻速升溫速率為5~10℃/min，整個過程在高純氬氣的保護中進行；

（4）第一步退火：當溫度升到（3）所要求的溫度后進行第一次退火，時間為60~80min；

（5）勻速降至低溫：第一步退火結束后，將管式退火爐的溫度勻速降至680~750℃；

（6）第二步退火：當溫度降至（5）所要求的溫度后進行第二次退火，退火時間為60~80min；

（7）降溫：第二次退火結束后，將管式退火爐的溫度勻速降至室溫，然后取出硅片；

（8）除去雜質層：將上述處理后的鑄錠多晶硅片浸入80℃的NaOH溶液中以除去鋁硅玻璃雜質層，浸泡時間為15~20min。

2.根據權利要求1所述的一種鑄錠多晶硅片鋁吸雜的方法，其特征在于：步驟（2）中的真空蒸鍍設備中的真空度要求不低于7.5×10⁴Pa。

3.根據權利要求1所述的一種鑄錠多晶硅片鋁吸雜的方法，其特征在于：步驟（5）、步驟（7）中的勻速降溫速率為5~10℃/min。

4.根據權利要求1所述的一種鑄錠多晶硅片鋁吸雜的方法，其特征在于：步驟（8）中的NaOH的質量濃度為10%~20%。