[發明專利]一種取向高硅鋼薄帶及其制備方法

有效

• 申請號: 201610862524.0
• 申請日: 2016-09-29
• 公開（公告）號: CN106282779B
• 公開（公告）日: 2018-03-13
• 發明（設計）人: 劉靜;程朝陽;甘章華;向志東;林希峰;張鳳泉
• 申請（專利權）人: 武漢科技大學
• 主分類號: C22C38/02
• 分類號: C22C38/02;C22C38/16;C22C38/06;C21D8/12
• 代理公司: 武漢科皓知識產權代理事務所(特殊普通合伙)42222
• 代理人: 張火春

1.一種取向高硅鋼薄帶的制備方法，其特征在于所述取向高硅鋼薄帶的化學成分是：Si為5.5～6.8wt％，Cu為0.3～0.6wt％，Al為0.1～0.3wt％，S為0.01～0.015wt％，N為0.005～0.01wt％，其余為Fe和不可避免的雜質；

所述取向高硅鋼薄帶的制備方法是：按所述取向高硅鋼薄帶的化學成分冶煉，在1300～1650℃條件下澆鑄成板坯，將所述板坯在1000～1200℃條件下熱軋成厚度為0.8～1.5mm的熱軋板；將所述熱軋板進行常化處理，常化處理后的熱軋板在150～450℃條件下溫軋至0.3～0.6mm，即得溫軋板；將所述溫軋板在室溫條件下冷軋至0.1～0.3mm，即得高硅鋼薄帶；將所述高硅鋼薄帶在700～1200℃條件下保溫1～16h，隨爐冷卻，即得取向高硅鋼薄帶；

所述常化處理的溫度為900～1100℃，常化處理的保溫時間為3～15min；常化處理的冷卻方式為水淬。

2.一種取向高硅鋼薄帶，其特征在于所述取向高硅鋼薄帶是根據權利要求1所述的取向高硅鋼薄帶的制備方法所制備的取向高硅鋼薄帶。