[發(fā)明專利]一種GaN基發(fā)光二極管芯片的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610861992.6
• 申請日: 2016-09-29
• 公開（公告）號: CN106252476B
• 公開（公告）日: 2018-04-13
• 發(fā)明（設計）人: 林偉;彭璐;吳向龍;閆寶華;劉琦;徐現(xiàn)剛
• 申請（專利權）人: 山東浪潮華光光電子股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/14;H01L33/32
• 代理公司: 濟南金迪知識產權代理有限公司37219
• 代理人: 王楠

1.一種GaN基發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特征在于，包括步驟如下:

(1)在P型GaN層的表面涂上正性光刻膠，光刻出大臺圖形；

(2)通過干法刻蝕沿P型GaN層刻蝕至N型GaN層，刻蝕形成大臺面結構，并去除光刻膠；

(3)生長一層SiO₂，作為CBL層；

(4)在CBL層上表面做上正性光刻膠，做出CBL圖形，去除表面殘留光刻膠；

(5)生長一層ITO，作為透明導電膜；

(6)在透明導電膜表面涂上正性光刻膠，光刻出電流擴展層小臺圖形，對透明導電膜進行濕法腐蝕，腐蝕出透明導電膜的導電層圖形，形成小臺面結構，去除殘留光刻膠；

(7)生長一層SiO₂，作為鈍化層；

(8)在晶片表面甩勻負性光刻膠，曝光、顯影后，制作出p型電極和N型電極結構光刻膠圖形；

(9)使用SF₆對鈍化層進行干法刻蝕，再使用刻蝕氣體刻蝕掉SF₆與GaN層反應生成的不導電層；

(10)在透明導電膜的臺面上制備p型電極，在n型GaN層的大臺面上制備n型電極。

2.根據(jù)權利要求1所述的GaN基發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中在P型GaN層的表面所涂的正性光刻膠的厚度為25000-45000埃。

3.根據(jù)權利要求2所述的GaN基發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中在P型GaN層的表面所涂的正性光刻膠的厚度為25000-30000埃。

4.根據(jù)權利要求3所述的GaN基發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中在P型GaN層的表面所涂的正性光刻膠的厚度為30000埃。

5.根據(jù)權利要求1所述的GaN基發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中干法刻蝕的深度在12000-16000埃。

6.根據(jù)權利要求5所述的GaN基發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中干法刻蝕的深度為14000埃。

7.根據(jù)權利要求1所述的GaN基發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特征在于，所述步驟(3)的CBL電流阻擋層的厚度為100－3000埃。

8.根據(jù)權利要求7所述的GaN基發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特征在于，所述步驟(3)的CBL電流阻擋層的厚度為300-800埃。

9.根據(jù)權利要求8所述的GaN基發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特征在于，所述步驟(3)的CBL電流阻擋層的厚度為500埃。

10.根據(jù)權利要求1所述的GaN基發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特征在于，所述步驟(5)中氧化銦錫的厚度為500－1500埃。

11.根據(jù)權利要求10所述的GaN基發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特征在于，所述步驟(5)中氧化銦錫的厚度為1000-1500埃。

12.根據(jù)權利要求11所述的GaN基發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特征在于，所述步驟(5)中氧化銦錫的厚度為1200埃。

13.根據(jù)權利要求1所述的GaN基發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特征在于，所述步驟(7)中鈍化層的厚度900-3000埃。

14.根據(jù)權利要求13所述的GaN基發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特征在于，所述步驟(7)中鈍化層的厚度為900-1000埃。

15.根據(jù)權利要求14所述的GaN基發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特征在于，所述步驟(7)中鈍化層的厚度為900埃。

16.根據(jù)權利要求1所述的GaN基發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特征在于，所述步驟(9)中，對鈍化層進行干法刻蝕的氣體為SF₆，SF₆流量為20-70sccm，刻蝕功率為260W。

17.根據(jù)權利要求16所述的GaN基發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特征在于，所述步驟(9)中，SF₆流量為30-50sccm。