[發明專利]無鎘核殼量子點及其制備方法在審
| 申請號： | 201610860795.2 | 申請日： | 2016-09-28 |
| 公開（公告）號： | CN106634946A | 公開（公告）日： | 2017-05-10 |
| 發明（設計）人： | 程陸玲;楊一行 | 申請（專利權）人： | TCL集團股份有限公司 |
| 主分類號： | C09K11/02 | 分類號： | C09K11/02;C09K11/88;C09K11/62;C09K11/70;C09K11/58;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳中一專利商標事務所44237 | 代理人： | 黃志云 |
| 地址： | 516006 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 無鎘核殼 量子 及其 制備 方法 | ||
1.一種無鎘核殼量子點，其特征在于，包括量子點核，在所述量子點核表面連續生長形成的漸變過渡層，在所述漸變過渡層表面形成的外殼層，其中，所述漸變過渡層包含所述量子點核中的核陽離子、核陰離子和所述外殼層中的殼陽離子、殼陰離子；且所述無鎘核殼量子點中，所述核陽離子、核陰離子的濃度從內往外依次減小，所述殼陽離子、殼陰離子的濃度從內往外依次增加。
2.如權利要求1所述的無鎘核殼量子點，其特征在于，所述漸變過渡層包括依次在所述量子點核表面連續生長形成的第一過渡層和第二過渡層，其中，所述第一過渡層中含有核陽離子和核陰離子，第二過渡層中含有殼陽離子和殼陰離子。
3.如權利要求1所述的無鎘核殼量子點，其特征在于，包括
CuInS2/CuxIn1-xS2/CuxZn1-xS2/ZnS、CuInSeS/CuxIn1-xSySe1-y/CuxIn1-xZnSeyS1-y/ZnS、
InP/InxZn1-xP/ZnS、Ag2S/AgxZn1-xS/ZnS、ZnSe/ZnSexS1-x/ZnS、
CuInS/CuxIn1-xSySe1-y/CuxIn1-xZnSySe1-y/ZnSexS1-x/ZnSe、
CuInSeS/CuxIn1-xSeyS1-y/CuxIn1-xZnSeyS1-y/ZnSexS1-x/ZnSe、
InP/InSexP1-x/InxZn1-xSeyP1-y/ZnSe、Ag2S/AgSxSe1-x/AgxZn1-xSySe1-y/ZnSe，其中，所述x、y的取值范圍滿足：0＜x＜1，0＜y＜1。
4.一種無鎘核殼量子點的制備方法，包括以下步驟：
制備量子點核：提供核陽離子前驅體、核陰離子前驅體，制備量子點核；
制備漸變過渡層：將所述量子點核、配體試劑和溶劑加入反應容器中，排氣處理后，升溫至120-300℃；
在反應容器中加入核陽離子前驅體、核陰離子前驅體進行第一次反應；按照該方法依次進行第二次反應……第N1次反應，隨著反應次數的增加，所述核陽離子前驅體和/或所述核陰離子前驅體的摩爾用量逐漸減少，且所述核陽離子前驅體、所述核陰離子前驅體的摩爾比小于所述量子點核結構中對應元素的摩爾比；
保持反應體系溫度，在反應容器中加入殼陽離子前驅體、殼陰離子前驅體、核陽離子前驅體和/或核陰離子前驅體、進行第一次反應；按照該方法依次進行第二次反應……第N2次反應，隨著反應次數的增加，所述殼陽離子前驅體和/或所述殼陰離子前驅體的摩爾用量逐漸增加，且所述殼陽離子前驅體、所述殼陰離子前驅體的摩爾比小于下述外殼層結構中對應元素的摩爾比；
制備外殼層：在制備完所述漸變過渡層后，保持體系反應溫度，在反應體系中同時注入殼陽離子前驅體、殼陰離子前驅體，在所述漸變過渡層上形成外殼層，得到無鎘核殼量子點。
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