[發明專利]半導體制備和研發制造設施的資本設備上使用的檢修隧道

有效

• 申請號: 201610860001.2
• 申請日: 2016-09-28
• 公開（公告）號: CN106992132B
• 公開（公告）日: 2020-06-09
• 發明（設計）人: 大衛·特魯塞爾;約翰·多爾蒂;邁克爾·凱洛格;克里斯多夫·佩納;理查德·古爾德;克雷·孔克爾
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 李獻忠;張華

1.用于處理晶片的集群工具系統，其包括：

晶片輸送組件，其沿所述集群工具系統的縱軸延伸，所述晶片輸送組件具有被定向為朝向設備前端模塊的前端，所述晶片輸送組件具有與所述前端相對的后端；

沿所述晶片輸送組件的第一橫向側耦合到所述晶片輸送組件的至少兩個處理模塊，所述晶片輸送組件被配置成往來于沿所述第一橫向側耦合的所述至少兩個處理模塊輸送晶片；

沿所述晶片輸送組件的第二橫向側耦合到所述晶片輸送組件的至少兩個處理模塊，所述晶片輸送組件被配置成往來于沿所述第二橫向側耦合的所述至少兩個處理模塊輸送晶片；

檢修隧道，其被限定在所述晶片輸送組件的下方，所述檢修隧道沿著所述集群工具系統的所述縱軸從所述晶片輸送組件的所述前端延伸到所述后端，所述檢修隧道具有垂直尺寸，所述垂直尺寸被限定在所述晶片輸送組件的底面和定位在所述晶片輸送組件下方的檢修層之間，所述檢修層被限定在比制造設施層的高度低的高度處，所述集群工具系統放置在所述制造設施層中。

2.根據權利要求1所述的集群工具系統，其中所述晶片輸送組件包括沿所述縱軸彼此耦合的至少兩個晶片輸送模塊，其中所述晶片輸送模塊中的每一個耦合到沿所述晶片輸送組件的所述第一橫向側耦合的所述處理模塊中的一個，并且其中所述晶片輸送模塊中的每一個耦合到沿所述晶片輸送組件的所述第二橫向側耦合的所述處理模塊中的一個。

3.根據權利要求1所述的集群工具系統，其進一步包括：

至少兩個處理模塊框架，其被配置成支撐沿所述晶片輸送組件的所述第一橫向側耦合的所述至少兩個處理模塊，并進一步被配置成擱置在所述制造設施層上；

至少兩個處理模塊框架，其被配置成支撐沿所述晶片輸送組件的所述第二橫向側耦合的所述至少兩個處理模塊，并進一步被配置成擱置在所述制造設施層上。

4.根據權利要求1所述的集群工具系統，其中階梯裝置被限定在所述檢修隧道的后端，所述檢修隧道的后端被限定在所述晶片輸送組件的所述后端的下方，所述階梯裝置被配置成限定從所述制造設施層向下至所述檢修層的路徑。

5.根據權利要求1所述的集群工具系統，其中所述檢修層的所述高度在所述制造設施層的高度以下1英尺(30.5厘米)到2英尺(61厘米)。

6.根據權利要求1所述的集群工具系統，其中所述晶片輸送組件的前側被配置為連接到裝載鎖，所述裝載鎖控制往返所述設備前端模塊的通道，其中所述檢修隧道的前端延伸到所述設備前端模塊。

7.根據權利要求1所述的集群工具系統，其中所述檢修隧道的高度為6英尺(183厘米)至8英尺(242厘米)。

8.根據權利要求1所述的集群工具系統，其中所述檢修隧道的第一橫向側提供到沿著所述晶片輸送組件的所述第一橫向側耦合的所述處理模塊的通道，并且所述檢修隧道的第二橫向側提供到沿著所述晶片輸送組件的所述第二橫向側耦合的所述處理模塊的通道。

9.根據權利要求8所述的集群工具系統，其中所述檢修隧道的所述第一橫向側提供到被限定用于沿所述晶片輸送組件的所述第一橫向側耦合的所述處理模塊的一個或多個氣箱的通道，并且所述檢修隧道的所述第二橫向側提供到被限定用于沿所述晶片輸送組件的所述第二橫向側耦合的所述處理模塊的一個或多個氣箱的通道。

10.根據權利要求1所述的集群工具系統，其中所述檢修隧道符合SEMI E72標準。