[發明專利]一種SiC基溝槽型場效應晶體管及其制備方法有效
| 申請號： | 201610859254.8 | 申請日： | 2016-09-28 |
| 公開（公告）號： | CN106449757B | 公開（公告）日： | 2019-07-05 |
| 發明（設計）人： | 申占偉;張峰;趙萬順;王雷;閆果果;溫正欣;劉興昉;孫國勝;曾一平 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/04 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 任巖 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 sic 溝槽 場效應 晶體管 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
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