[發(fā)明專利]光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和用于半導(dǎo)體制造的器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610858785.5
• 申請(qǐng)日: 2016-09-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107015446A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-08-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳慶煌;林書(shū)宏;呂奎亮;張雅惠;謝弘璋
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): G03F9/00
• 分類號(hào): G03F9/00
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,李偉

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實(shí)施例一般地涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及用于半導(dǎo)體制造的器件。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體集成電路(IC)制造涉及在半導(dǎo)體晶圓上形成具有設(shè)計(jì)的圖案的多個(gè)材料層。每一層都必須與先前的層對(duì)準(zhǔn)，使得形成的電路適當(dāng)?shù)毓ぷ鳌８鱾€(gè)標(biāo)記用于該目的。例如，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記用于掩模(光掩模)與半導(dǎo)體晶圓之間的對(duì)準(zhǔn)。在另一實(shí)例中，覆蓋標(biāo)記用于監(jiān)控晶圓上的多層之間的覆蓋偏差。隨著半導(dǎo)體技術(shù)向著具有更小的部件尺寸的電路不斷進(jìn)步，對(duì)準(zhǔn)要求變得更加嚴(yán)格。因此，期望具有提供高信號(hào)強(qiáng)度和測(cè)量準(zhǔn)確性的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中所存在的缺陷，根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種用于半導(dǎo)體制造的器件，包括：襯底；以及形成在所述襯底上方的層，所述層具有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中，所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記包括：多個(gè)第一縱長(zhǎng)構(gòu)件，沿著第一方向進(jìn)行縱向定向并且沿著第二方向分布；以及多個(gè)第二縱長(zhǎng)構(gòu)件，沿著與所述第一方向垂直的第三方向進(jìn)行縱向定向并且沿著所述第二方向分布，其中，所述第二方向與所述第一方向和所述第三方向中的每一個(gè)都不同。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種用于半導(dǎo)體制造的器件，包括：襯底；以及形成在所述襯底上方的層，所述層具有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中，所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記包括：多個(gè)第一縱長(zhǎng)構(gòu)件，沿著第一方向進(jìn)行縱向定向并且沿著第二方向分布；多個(gè)第二縱長(zhǎng)構(gòu)件，沿著與所述第一方向垂直的第三方向縱向定向并且沿著所述第二方向分布，其中，所述第二方向與所述第一方向和所述第三方向中的每一個(gè)都不同；多個(gè)第三縱長(zhǎng)構(gòu)件，沿著所述第一方向縱向定向并且沿著第四方向分布，所述第四方向與所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向中的每一個(gè)都不同；以及多個(gè)第四縱長(zhǎng)構(gòu)件，沿著所述第三方向進(jìn)行縱向定向并且沿著所述第四方向分布。

根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種用于半導(dǎo)體制造的器件，包括：半導(dǎo)體襯底；以及形成在所述半導(dǎo)體襯底上方的層，所述層具有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中，所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記包括：多個(gè)第一縱長(zhǎng)構(gòu)件，沿著第一方向進(jìn)行縱向定向并且沿著第二方向分布；以及多個(gè)第二縱長(zhǎng)構(gòu)件，沿著與所述第一方向垂直的第三方向進(jìn)行縱向定向并且沿著所述第二方向分布，其中，所述第二方向與所述第一方向和所述第三方向中的每一個(gè)都不同，其中：所述多個(gè)第一縱長(zhǎng)構(gòu)件和所述多個(gè)第二縱長(zhǎng)構(gòu)件的每一個(gè)都包括銅；所述多個(gè)第一縱長(zhǎng)構(gòu)件和所述多個(gè)第二縱長(zhǎng)構(gòu)件中的每?jī)蓚€(gè)之間的間隔都填充有極低k介電材料；所述多個(gè)第一縱長(zhǎng)構(gòu)件中的每一個(gè)都具有第一寬度；所述多個(gè)第二縱長(zhǎng)構(gòu)件中的每一個(gè)都具有第二寬度；以及所述第一寬度大于所述第二寬度。

附圖說(shuō)明

當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時(shí)，根據(jù)下面詳細(xì)的描述可以最佳地理解本發(fā)明的各個(gè)方面。應(yīng)該強(qiáng)調(diào)的是，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，各個(gè)部件未按比例繪制。實(shí)際上，為了清楚的討論，各個(gè)部件的尺寸可以任意地增大或減小。

圖1是得益于本發(fā)明的各個(gè)方面的光刻系統(tǒng)的簡(jiǎn)化的示意圖。

圖2是在一個(gè)實(shí)施例中根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)方面而構(gòu)建的具有各個(gè)標(biāo)記的半導(dǎo)體晶圓的頂視圖。

圖3是根據(jù)實(shí)施例的圖2的半導(dǎo)體晶圓的一部分的截面圖。

圖4是在一個(gè)實(shí)施例中根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)方面而構(gòu)建的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的一部分的頂視圖。

圖5、圖6和圖7是根據(jù)一些實(shí)施例的圖4的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的一部分。

圖8是在一個(gè)實(shí)例中的通過(guò)圖4的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的實(shí)施例提供的反射率的曲線圖。

具體實(shí)施方式

以下公開(kāi)內(nèi)容提供了許多不同實(shí)施例或?qū)嵗糜趯?shí)現(xiàn)所提供主題的不同特征。以下將描述組件和布置的具體實(shí)例以簡(jiǎn)化本發(fā)明。當(dāng)然，這些僅是實(shí)例并且不意欲限制本發(fā)明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件形成直接接觸的實(shí)施例，也可以包括形成在第一部件和第二部件之間的附加部件使得第一部件和第二部件不直接接觸的實(shí)施例。而且，本發(fā)明在各個(gè)實(shí)例中可以重復(fù)參考數(shù)字和/或字母。這種重復(fù)僅是為了簡(jiǎn)明和清楚，其自身并不表示所論述的各個(gè)實(shí)施例和/或配置之間的關(guān)系。

此外，為了便于描述，本文中可以使用諸如“在…下方”、“在…下面”、“下部”、“在…上面”、“上部”等的空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)，以描述如圖中所示的一個(gè)元件或部件與另一元件或部件的關(guān)系。除了圖中所示的方位外，空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)旨在包括器件在使用或操作過(guò)程中的不同方位。裝置可以以其他方式定位(旋轉(zhuǎn)90度或在其他方位)，并且在本文中使用的空間關(guān)系描述符可以同樣地作相應(yīng)地解釋。