[發(fā)明專利]一種提高光學(xué)臨近修正準(zhǔn)確性的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610857458.8 | 申請(qǐng)日： | 2016-09-27 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN106292174B | 公開（公告）日： | 2019-12-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 吳維維;于世瑞;蔣斌杰;張立毅 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G03F1/36 | 分類號(hào)： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 31275 上海天辰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) | 代理人： | 吳世華;陳慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 提高 光學(xué) 臨近 修正 準(zhǔn)確性 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
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- 專利分類
G03 攝影術(shù)；電影術(shù)；利用了光波以外其他波的類似技術(shù)；電記錄術(shù)；全息攝影術(shù)
G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長(zhǎng)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記；其制備
G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長(zhǎng)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記；其制備
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