[發(fā)明專利]具有改進的線性調(diào)節(jié)瞬態(tài)響應(yīng)的電壓調(diào)節(jié)器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610856306.6
• 申請日: 2016-09-27
• 公開（公告）號: CN107037850B
• 公開（公告）日: 2018-09-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: S·皮特伊;C·里貝利諾
• 申請（專利權(quán)）人: 意法設(shè)計與應(yīng)用股份有限公司;意法半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種電壓調(diào)節(jié)器電路，包括：

輸入節(jié)點，被配置成接收輸入電壓；

功率晶體管，具有耦合在所述輸入節(jié)點與輸出節(jié)點之間的傳導(dǎo)路徑；

放大器，具有驅(qū)動所述功率晶體管的控制端子的輸出以及耦合至所述輸出節(jié)點以形成調(diào)節(jié)器反饋回路的第一輸入，所述放大器還具有第二輸入；以及

電壓生成器，由所述輸入電壓來供電并且被配置成生成向所述放大器的所述第二輸入施加的可變參考電壓，所述可變參考電壓隨著所述輸入電壓的變化相應(yīng)地改變。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電壓調(diào)節(jié)器電路，還包括：

電流感測電路，被配置成感測在所述功率晶體管的所述傳導(dǎo)路徑中流動的電流并且在中間節(jié)點處生成感測電流；

第一電阻器，耦合在所述輸入節(jié)點與所述中間節(jié)點之間；以及

第一晶體管，具有耦合在所述中間節(jié)點與所述放大器的所述第二輸入之間的傳導(dǎo)路徑。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電壓調(diào)節(jié)器電路，還包括耦合在所述第一晶體管與所述放大器的所述第二輸入之間的低通濾波器。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電壓調(diào)節(jié)器電路，還包括耦合在所述第一晶體管與參考電壓節(jié)點之間的齊納二極管。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電壓調(diào)節(jié)器電路，其中所述參考電壓節(jié)點是接地節(jié)點。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電壓調(diào)節(jié)器電路，還包括：

第二晶體管，耦合至所述第一晶體管以形成電流鏡像電路；以及

電流源，被配置成向所述第二晶體管供應(yīng)偏置電流。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電壓調(diào)節(jié)器電路，還包括具有所述第一晶體管的帶隙參考電壓生成器。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電壓調(diào)節(jié)器電路，其中所述帶隙參考電壓生成器包括：

一對MOSFET晶體管，耦合至所述輸入節(jié)點并且以電流鏡像關(guān)系配置；以及

一對雙極型晶體管，分別與所述一對MOSFET晶體管串聯(lián)耦合，

其中在所述一對MOSFET晶體管中的一個MOSFET晶體管與所述一對雙極型晶體管中的一個雙極型晶體管之間的串聯(lián)連接節(jié)點耦合至所述第一晶體管的控制端子。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電壓調(diào)節(jié)器電路，其中所述帶隙參考電壓生成器還包括耦合在所述第一晶體管與參考電壓節(jié)點之間的電阻分壓器電路，所述電阻分壓器電路的輸出耦合至所述一對雙極型晶體管的控制端子。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電壓調(diào)節(jié)器電路，其中所述參考電壓節(jié)點是接地節(jié)點。

11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電壓調(diào)節(jié)器電路，還包括：

帶隙參考電壓生成器，被配置成生成帶隙電壓；

電阻分壓器電路，耦合在所述第一晶體管與參考電壓節(jié)點之間；以及

附加放大器，具有驅(qū)動所述第一晶體管的控制端子的輸出、耦合至所述電阻分壓器電路的輸出以形成反饋回路的第一輸入、以及耦合以接收所述帶隙電壓的第二輸入。

12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電壓調(diào)節(jié)器電路，其中所述電流感測電路包括作為所述功率晶體管的縮放副本的第三晶體管，所述第三晶體管具有耦合在所述中間節(jié)點與所述輸出節(jié)點之間的傳導(dǎo)路徑并且具有耦合至所述放大器的輸出的控制端子。