[發明專利]光掩膜版的清洗方法及去膠方法

在審

• 申請號: 201610855735.1
• 申請日: 2016-09-27
• 公開（公告）號: CN107870510A
• 公開（公告）日: 2018-04-03
• 發明（設計）人: 馬志平;成立炯
• 申請（專利權）人: 上海凸版光掩模有限公司
• 主分類號: G03F1/82
• 分類號: G03F1/82
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙)31219
• 代理人: 余明偉

1.一種光掩膜版的清洗方法，適于對去膠處理后的光掩膜版進行清洗，其特征在于，所述光掩膜版的清洗方法至少包括以下步驟：

1)使用硫酸及雙氧水的混合液對所述光掩膜版進行清洗；

2)使用氨水、雙氧水及去離子水的混合溶液對所述光掩膜版進行清洗；

3)使用超聲波對所述光掩膜版進行清洗；

4)使用熱去離子水對所述光掩膜版進行清洗。

2.根據權利要求1所述的光掩膜版的清洗方法，其特征在于：步驟1)中，所述硫酸及雙氧水的混合液中硫酸與雙氧水的體積比為1：1～5：1。

3.根據權利要求2所述的光掩膜版的清洗方法，其特征在于：所述硫酸及雙氧水的混合液中硫酸與雙氧水的體積比為3：1。

4.根據權利要求1所述的光掩膜版的清洗方法，其特征在于：步驟1)中，使用硫酸及雙氧水的混合液對所述光掩膜版進行清洗的溫度為90℃～110℃。

5.根據權利要求1所述的光掩膜版的清洗方法，其特征在于：步驟2)中，所述氨水、雙氧水及去離子水的混合溶液中氨水、雙氧水及去離子水的體積比為1：2：10。

6.根據權利要求1所述的光掩膜版的清洗方法，其特征在于：步驟3)中，使用超聲波對所述光掩膜版進行清洗時超聲波的功率測試不小于60mV。

7.根據權利要求1所述的光掩膜版的清洗方法，其特征在于：步驟4)中，所述熱去離子水的溫度為70℃～100℃。

8.根據權利要求1所述的光掩膜版的清洗方法，其特征在于：步驟4)中，使用熱去離子水對所述光掩膜版進行清洗的時間不小于10分鐘。

9.一種光掩膜版的去膠方法，其特征在于，所述光掩膜版的去膠方法至少包括以下步驟：

1)使用硫酸及雙氧水的混合液去除光掩膜版表面的光刻膠層；

2)使用雙氧水及去離子水的混合溶液去除所述光掩膜版表面殘留的光刻膠顆粒；

3)使用如權利要求1至8中任一項所述的清洗方法對所述光掩膜版進行清洗。

10.根據權利要求9所述的光掩膜版的去膠方法，其特征在于：步驟3)之后還包括以下步驟：

4)對所述光掩膜版表面進行圖形檢查；若所述光掩膜版表面沒有圖形缺陷，則結束；

5)若所述光掩膜版表面有圖形缺陷，將所述光掩模版修版后使用如權利要求1至8中任一項所述的清洗方法對所述光掩膜版再次進行清洗；

6)重復步驟4)～步驟5)。